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1. (WO2011145278) METHOD AND DEVICE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145278    International Application No.:    PCT/JP2011/002431
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 26.04.2011
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
ITOH, Tomonori; (For US Only).
TOYODA, Kaori; (For US Only).
IKEUCHI, Hiroki; (For US Only).
KAWABATA, Takeshi; (For US Only)
Inventors: ITOH, Tomonori; .
TOYODA, Kaori; .
IKEUCHI, Hiroki; .
KAWABATA, Takeshi;
Agent: MORIMOTO INT'L PATENT OFFICE; ORIX Hommachi Bldg., 4th Floor, 4-1, Nishi-Honmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500005 (JP)
Priority Data:
2010-114834 19.05.2010 JP
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MONTAGE D'UN ÉLÉMENT LUMINESCENT À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子の実装方法と実装装置
Abstract: front page image
(EN)In the bonding of a bump electrode (26) in a semiconductor light-emitting element (2) to an electrode section (21) in a mounted substrate (3), an electric power is supplied to the electrode section (21) in the mounted substrate (3) upon the bonding of the bump electrode (26) in the semiconductor light-emitting element (2) to the electrode section (21) in the mounted substrate (3) to emit light from the semiconductor light-emitting element (2) by the action of the electric power, an optical property of the semiconductor light-emitting element (2) that has emitted light is detected, the detection value for the optical property is processed to acquire the information on the bonding state between the bump electrode (26) in the semiconductor light-emitting element (2) and the electrode section (21) in the mounted substrate (3), and the completion or incompletion of the bonding is determined on the basis of the bonding state. In this manner, a semiconductor light-emitting element can be bonded satisfactorily to an electrode section on a mounted substrate through a metal electrode that is formed on the semiconductor light-emitting element.
(FR)L'invention concerne notamment un procédé caractérisé en ce que : lors du brasage d'une électrode (26) à surépaisseur d'un élément luminescent (2) à semiconducteur avec une section (21) d'électrode d'un substrat monté (3), une alimentation électrique est fournie à la section (21) d'électrode du substrat monté (3) suite au brasage de l'électrode (26) à surépaisseur de l'élément luminescent (2) à semiconducteur avec la section (21) d'électrode du substrat monté (3) afin d'émettre une lumière à partir de l'élément luminescent (2) à semiconducteur sous l'action de l'alimentation électrique; une propriété optique de l'élément luminescent (2) à semiconducteur qui a émis la lumière est détectée; la valeur de détection de la propriété optique est traitée pour acquérir l'information sur l'état de brasage entre l'électrode (26) à surépaisseur de l'élément luminescent (2) à semiconducteur et la section (21) d'électrode du substrat monté (3); et l'achèvement ou le non achèvement du brasage est déterminé sur la base de l'état de brasage. Il est ainsi possible de braser correctement un élément luminescent à semiconducteur sur une section d'électrode d'un substrat monté par l'intermédiaire d'une électrode métallique formée sur l'élément luminescent à semiconducteur.
(JA) 半導体発光素子2のバンプ電極26と実装基板3の電極部21を接合するに際し、半導体発光素子2のバンプ電極26と実装基板3の電極部21を接合させるときに実装基板3の電極部21に電力を供給して半導体発光素子2をその電力で発光させ、発光した半導体発光素子2の光学特性を検出し、この光学特性の検出値を処理して半導体発光素子2のバンプ電極26と実装基板3の電極部21の接合状態を取得して接合完了を判定するので、半導体発光素子をその上に形成された金属電極を介して実装基板上の電極部に良好に接合できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)