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1. (WO2011145158) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/145158    International Application No.:    PCT/JP2010/006884
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 25.11.2010
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NAGASAKI, Hiroki; (For US Only).
OHTSUKI, Hirohisa; (For US Only)
Inventors: NAGASAKI, Hiroki; .
OHTSUKI, Hirohisa;
Agent: NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072 (JP)
Priority Data:
2010-116326 20.05.2010 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À L'ÉTAT SOLIDE
(JA) 固体撮像装置
Abstract: front page image
(EN)A solid-state imaging device comprising a substrate (5), a lower electrode (15) formed above the substrate (5) through an insulating layer (7), an upper electrode (19) formed above the lower electrode (15), and a photoelectric conversion film (17) formed between the lower electrode (15) and the upper electrode (19), wherein a color filter (11) is formed above the upper electrode (19), and the lower electrode (15) has such a shape that an opening (45) is formed in such a manner that the surface area of a part of the opening which faces a wiring layer (39) formed in the insulating layer (7) directly under the lower electrode (15) can be minimized.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie à l'état solide comprenant un substrat (5), une électrode inférieure (15) formée au-dessus du substrat (5) à travers une couche isolante (7), une électrode supérieure (19) formée au-dessus de l'électrode inférieure (15), et une pellicule de conversion photoélectrique (17) formée entre l'électrode inférieure (15) et l'électrode supérieure (19), un filtre de couleur (11) étant formé au-dessus de l'électrode supérieure (19), et l'électrode inférieure (15) comportant une forme telle qu'une ouverture (45) est formée de telle manière qu'une aire de surface d'une partie de l'ouverture qui fait face à une couche de circuit (39) formée dans la couche isolante (7) directement sous l'électrode inférieure (15) peut être minimisée.
(JA) 基板(5)の上方に絶縁層(7)を介して形成された下部電極(15)と、下部電極(15)の上方に形成された上部電極(19)と、下部電極(15)と上部電極(19)との間に形成された光電変換膜(17)とを有し、上部電極(19)の上方に形成されたカラーフィルタ(11)を備え、下部電極(15)の形状は、下部電極(15)の直下に配列された絶縁層(7)内の配線層(39)との対面面積が小さくなるように開口(45)が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)