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1. (WO2011144423) GRAPHENE CHANNEL-BASED DEVICES AND METHODS FOR FABRICATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/144423    International Application No.:    PCT/EP2011/056581
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 26.04.2011
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), B82Y 10/00 (2011.01), H01L 29/16 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
CHEN, Kuan-neng [--/US]; (US) (For US Only).
LIN, Yu-Ming [--/US]; (US) (For US Only).
AVOURIS, Phaedon [US/US]; (US) (For US Only).
FARMER, Damon, Brooks [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHEN, Kuan-neng; (US).
LIN, Yu-Ming; (US).
AVOURIS, Phaedon; (US).
FARMER, Damon, Brooks; (US)
Agent: WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
12/783,676 20.05.2010 US
Title (EN) GRAPHENE CHANNEL-BASED DEVICES AND METHODS FOR FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIFS À BASE DE CANAUX AU GRAPHÈNE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Graphene-channel based devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a semiconductor device includes a first wafer having at least one graphene channel formed on a first substrate, a first oxide layer surrounding the graphene channel and source and drain contacts to the graphene channel that extend through the first oxide layer; and a second wafer having a CMOS device layer formed in a second substrate, a second oxide layer surrounding the CMOS device layer and a plurality of contacts to the CMOS device layer that extend through the second oxide layer, the wafers being bonded together by way of an oxide-to-oxide bond between the oxide layers. One or more of the contacts to the CMOS device layer are in contact with the source and drain contacts. One or more other of the contacts to the CMOS device layer are gate contacts for the graphene channel.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à base de canaux au graphène et leurs techniques de fabrication. Dans un aspect, un dispositif semi-conducteur comprend une première plaquette comportant au moins un canal de graphène formé sur un premier substrat, une première couche d'oxyde entourant le canal graphène et des contacts de source et de drain au canal de graphène qui s'étendent à travers la première couche d'oxyde ; et une deuxième plaquette comportant une couche de dispositif CMOS formée dans un deuxième substrat, une deuxième couche d'oxyde entourant la couche de dispositif CMOS et une pluralité de contacts à la couche de dispositif CMOS qui s'étend à travers la deuxième couche d'oxyde, les plaquettes étant reliées ensemble au moyen d'une liaison oxyde-oxyde entre les couches d'oxyde. Un ou plusieurs des contacts à la couche de dispositif CMOS est (sont) en contact avec les contacts de source et de drain. Un ou plusieurs autre(s) des contacts à la couche de dispositif CMOS est (sont) des contacts de gâchette pour le canal de graphène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)