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1. (WO2011143887) METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/143887    International Application No.:    PCT/CN2010/077434
Publication Date: 24.11.2011 International Filing Date: 29.09.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
Applicants: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; 381 Wushan, Tianhe Guangzhou, Guangdong 510640 (CN) (For All Designated States Except US).
PENG, Junbiao [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LAN, Linfeng [CN/CN]; (CN) (For US Only).
XU, Miao [CN/CN]; (CN) (For US Only).
XU, Ruixia [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Lei [CN/CN]; (CN) (For US Only).
XU, Wei [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: PENG, Junbiao; (CN).
LAN, Linfeng; (CN).
XU, Miao; (CN).
XU, Ruixia; (CN).
WANG, Lei; (CN).
XU, Wei; (CN)
Agent: YOGO PATENT & TRADEMARK AGENCY LIMITED COMPANY; ROOM 3912, BlockB, SinopecTower Tiyuxi Road, Tianhe Guangzhou, Guangdong 510620 (CN)
Priority Data:
201010182715.5 19.05.2010 CN
Title (EN) METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE D'OXYDE MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(ZH) 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)A metal oxide thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided. The metal oxide thin film transistor is composed of a gate (1), an insulating layer (2), a transition layer (3), a semiconductor layer (4), a drain electrode (51) and a source electrode (52) that are subsequently connected together from down to up. The drain electrode (51) and the source electrode (52) are provided on the semiconductor layer (4). The transition layer (3) and the semiconductor layer (4) are prepared by a sputtering method. The oxygen content of the transition layer (3) is greater than a theoretical value when the transition layer (3) is prepared by controlling oxygen inlet quantity. The oxygen content of the semiconductor layer (4) is less than the theoretical value when the semiconductor layer (4) is prepared by controlling the oxygen inlet quantity. The transition layer and the semiconductor layer have better contact property, thus improving current carrier trap intensity between the transition layer and the semiconductor layer and increasing output current of the transistor and enhancing electrical stability of the transistor.
(FR)L'invention concerne un transistor à couche mince d'oxyde métallique et son procédé de production. Le transistor à couche mince d'oxyde métallique est composé d'une grille (1), d'une couche d'isolation (2), d'une couche de transition (3), d'une couche semi-conductrice (4), d'une électrode drain (51) et d'une électrode source (52) qui sont sensiblement connectées ensemble de bas en haut. L'électrode drain (51) et l'électrode source (52) sont disposées sur la couche semi-conductrice (4). La couche de transition (3) et la couche semi-conductrice (4) sont préparées au moyen d'un procédé de pulvérisation. La teneur en oxygène de la couche de transition (3) est supérieure à une valeur théorique lorsque la couche de transition (3) est préparée par régulation du volume d'oxygène entré. La teneur en oxygène de la couche semi-conductrice (4) est inférieure à la valeur théorique lorsque la couche semi-conductrice (4) est préparée par régulation du volume d'oxygène entré. La couche de transition et la couche semi-conductrice présentent une meilleure propriété de contact, ce qui permet d'améliorer l'intensité de piégeage de porteurs de courant entre la couche de transition et la couche semi-conductrice, et augmente le courant de sortie du transistor et améliore sa stabilité électrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)