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1. (WO2011143261) JUNCTION GATE DRIVER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/143261    International Application No.:    PCT/US2011/035981
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 10.05.2011
IPC:
H03K 17/04 (2006.01), H03K 17/64 (2006.01)
Applicants: MICROSEMI CORPORATION [US/US]; 1290-B Reamwood Avenue Sunnyvale, CA 94089 (US) (For All Designated States Except US).
COLEMAN, Charles [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: COLEMAN, Charles; (US)
Agent: WINTERTON, Kenneth; Holland & Hart, LLP P.O. Box 8749 Denver, CO 80201 (US)
Priority Data:
61/333,157 10.05.2010 US
13/104,656 10.05.2011 US
13/104,809 10.05.2011 US
Title (EN) JUNCTION GATE DRIVER
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE DE GÂCHETTE DE JONCTION
Abstract: front page image
(EN)A junction device driver is provided that includes a current regulator, an inductor coupled with the current regulator, and a switching module coupled with the inductor. The current regulator is configured to generate a current, and the inductor is configured to store energy generated by the current produced by the current regulator. The switching module is configured to control a conduction current for a gate of a junction device. The conduction current is generated, initially, from the stored energy of the inductor to thereby provide a relatively high initial current. As the energy stored in the inductor is discharged, the current level drops to a lower level that is sufficient to maintain the junction device in an "on" state.
(FR)L'invention concerne un circuit d'attaque de dispositif à jonction qui comprend un régulateur de courant, une inductance connectée au régulateur de courant et un module de commutation connecté à l'inductance. Le régulateur de courant est configuré pour générer un courant et l'inductance est configurée pour stocker l'énergie générée par le courant produit par le régulateur de courant. Le module de commutation est configuré pour commander un courant de conduction pour une gâchette d'un dispositif à jonction. Le courant de conduction est généré initialement à partir de l'énergie stockée dans l'inductance afin de fournir ainsi un courant initial relativement élevé. À mesure que l'énergie stockée dans l'inductance est déchargée, le niveau de courant chute à un niveau inférieur qui est suffisant pour maintenir le dispositif à jonction à l'état « passant ».
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)