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1. (WO2011143099) WRITE ENERGY CONSERVATION IN MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/143099    International Application No.:    PCT/US2011/035725
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 09.05.2011
Chapter 2 Demand Filed:    09.03.2012    
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US) (For All Designated States Except US).
RAO, Hari M. [IN/US]; (US) (For US Only).
KIM, Jung Pill [KR/US]; (US) (For US Only).
KIM, Taehyun [KR/US]; (US) (For US Only).
ZHU, Xiaochun [CN/US]; (US) (For US Only).
LEE, Kangho [KR/US]; (US) (For US Only).
HAO, Wuyang [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RAO, Hari M.; (US).
KIM, Jung Pill; (US).
KIM, Taehyun; (US).
ZHU, Xiaochun; (US).
LEE, Kangho; (US).
HAO, Wuyang; (US)
Agent: VELASCO, Jonathan T.; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Priority Data:
12/777,468 11.05.2010 US
Title (EN) WRITE ENERGY CONSERVATION IN MEMORY
(FR) ÉCONOMIE D'ÉNERGIE D'ÉCRITURE EN MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)A method writes data to a resistive memory, such as spin torque transfer magnetic random access memory (STT-MRAM). The method writes received bits of data to a memory cell array, in response to a first write signal. The method also reads stored data from the memory cell array, after the first write signal is generated, and then compares the stored data with the received bits of data to determine whether each of the received bits of data was written to the memory. In response to a second write signal, received bits of data determined not to have been written during the first write signal, are written.
(FR)L'invention concerne un procédé écrivant des données dans une mémoire résistive telle qu'une mémoire vive magnétique à transfert de couple de spin (STT-MRAM). Le procédé écrit les bits de données reçus dans une matrice de cellules de mémoire en réponse à un premier signal d'écriture. Le procédé lit également les données stockées depuis la matrice de cellules de mémoire après que le premier signal d'écriture a été généré, puis compare les données stockées aux bits de données reçus pour déterminer si chacun des bits de données reçus a été écrit dans la mémoire. En réponse à un second signal d'écriture, les bits de données reçus dont il est déterminé qu'ils n'ont pas été écrits pendant le premier signal d'écriture, sont écrits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)