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1. (WO2011142510) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/142510    International Application No.:    PCT/KR2010/007051
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 14.10.2010
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 20 Yeouido-dong Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 (KR) (For All Designated States Except US).
LEE, Kyoungsoo [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Jonghwan [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KANG, Juwan [KR/KR]; (KR) (For US Only).
HA, Manhyo [KR/KR]; (KR) (For US Only).
JANG, Daehee [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: LEE, Kyoungsoo; (KR).
KIM, Jonghwan; (KR).
KANG, Juwan; (KR).
HA, Manhyo; (KR).
JANG, Daehee; (KR)
Agent: ROYAL PATENT LAW OFFICE; 1st. Floor DOWON Bldg. Nam-Hyun Dong 1059-11 Kwanak Gu Seoul 151-800 (KR)
Priority Data:
10-2010-0044128 11.05.2010 KR
Title (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A solar cell includes a substrate of a first conductive type; an emitter part of a second conductive type positioned at a front surface of the substrate; a first silicon thin film layer positioned on the emitter part and including amorphous silicon containing impurities of the second type that are doped therein; a first transparent conductive layer positioned on the first silicon thin film layer and electrically connected with the emitter part; a first electrode positioned on the first transparent conductive layer and electrically connected with the first transparent conductive layer; and a second electrode positioned on a back surface of the substrate. For example, the first silicon thin film layer includes N+-a-Si:H or N+-a-SiC:H.
(FR)La cellule solaire de l'invention comprend : un substrat d'un premier type conducteur ; une partie émettrice d'un second type conducteur disposée sur une surface avant du substrat ; une première couche de film mince de silicium disposée sur la partie émettrice et comprenant du silicium amorphe contenant des impuretés du second type introduites dans celui-ci par dopage ; une première couche conductrice transparente positionnée sur la première couche de film mince de silicium et électriquement connectée à la partie émettrice ; une première électrode disposée sur la première couche conductrice transparente et électriquement connectée à la première couche conductrice transparente ; et une seconde électrode disposée sur une surface arrière du substrat. Par exemple, la première couche de film mince de silicium comprend du N+-a-Si:H ou du N+-a-SiC:H.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)