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1. (WO2011142416) METHOD FOR MANUFACTURING FLUX GATE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/142416    International Application No.:    PCT/JP2011/060939
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 12.05.2011
IPC:
G01R 33/04 (2006.01)
Applicants: Fujikura Ltd. [JP/JP]; 5-1, Kiba 1-chome, Kohtoh-ku, Tokyo 1358512 (JP) (For All Designated States Except US).
OHMORI Kenichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHMORI Kenichi; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2010-110229 12.05.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING FLUX GATE SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR DE SONDE MAGNÉTOMÉTRIQUE
(JA) フラックスゲートセンサの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a flux gate sensor, which comprises at least: a first step wherein a first wiring layer is formed on a substrate; a second step wherein a first insulating layer that is composed of a first resin is formed so as to cover the first wiring layer; a third step wherein a magnetic layer that is formed on the first insulating layer and constitutes the core of a flux gate is formed; a fourth step wherein a second insulating layer that is composed of a second resin is formed on the first insulating layer so as to cover the magnetic layer; and a fifth step wherein a second wiring layer is formed on the second insulating layer. The method for manufacturing a flux gate sensor is characterized in that: the first wiring layer and the second wiring layer are electrically connected so as to respectively constitute a magnetic coil and a pickup coil; and the respective process temperatures at least in the third, fourth and fifth steps are lower than the glass transition temperature of the first resin.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur de sonde magnétométrique qui comprend au moins : une première étape où une première couche de câblage est formée sur un substrat ; une deuxième étape où une première couche isolante comprenant une première résine est formée de manière à recouvrir la première couche de câblage ; une troisième étape où une couche magnétique est formée sur la première couche isolante et constitue le noyau de la sonde magnétométrique ; une quatrième étape où une seconde couche isolante se composant d'une seconde résine est formée sur la première couche isolante de manière à recouvrir la couche magnétique ; et une cinquième étape où une seconde couche de câblage est formée sur la seconde couche isolante. Le procédé de fabrication d'un capteur de sonde magnétométrique est caractérisé en ce que : la première couche de câblage et la seconde couche de câblage sont connectées électriquement de manière à former respectivement une bobine magnétique et une bobine de sondage ; et les températures de traitement respectives au moins dans les troisième, quatrième et cinquième étapes sont inférieures à la température de transition vitreuse de la première résine.
(JA) 基板上に第一配線層を形成する第1の工程と、前記第一配線層を覆うように第1の樹脂からなる第一絶縁層を形成する第2の工程と、前記第一絶縁層上に形成され、フラックスゲートのコアをなす磁性層を形成する第3の工程と、前記磁性層を覆うように前記第一絶縁層上に第2の樹脂からなる第二絶縁層を形成する第4の工程と、前記第二絶縁層上に第二配線層を形成する第5の工程と、を少なくとも有するフラックスゲートセンサの製造方法であって、前記第一配線層と前記第二配線層とが、磁気コイルと、ピックアップコイルとを各々構成するように電気的に接続され、少なくとも、前記第3、第4及び第5の工程の各々におけるプロセスの温度は、前記第1の樹脂のガラス転移温度よりも低いことを特徴とするフラックスゲートセンサの製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)