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1. (WO2011142061) THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/142061    International Application No.:    PCT/JP2011/000555
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 01.02.2011
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
UCHIDA, Seiichi; (For US Only)
Inventors: UCHIDA, Seiichi;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Priority Data:
2010-111869 14.05.2010 JP
Title (EN) THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME
(FR) SUBSTRAT À TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES COMPRENANT LEDIT SUBSTRAT
(JA) 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
Abstract: front page image
(EN)In each pixel, an insulation film covering each oxide semiconductor layer is placed between an upper electrode of a capacitive holding element and two source wires on either side of the upper electrode. The upper electrode is formed into one unit from conductive layer parts which extend from the oxide semiconductor layers and have low resistances. Both source wires are provided on the insulation film and connect to the oxide semiconductor layers through contact holes formed in the insulation film.
(FR)Selon l'invention, dans chaque pixel, un film d'isolation recouvrant chaque couche à semi-conducteur d'oxyde est placée entre une électrode supérieure d'un élément de maintien capacitif et deux câbles sources de part et d'autre de l'électrode supérieure. L'électrode supérieure est formée en une unité de parties de couches conductrices qui s'étendent des couches à semi-conducteur d'oxyde et qui ont des résistances basses. Les deux câbles sources sont posés sur le film d'isolation et relient les couches à semi-conducteur d'oxyde par le biais d'orifices de contact formés dans le film d'isolation.
(JA) 各画素において、保持容量素子の上部電極と該上部電極を挟む両ソース配線との間には各酸化物半導体層を覆う絶縁膜が介在され、上部電極は、酸化物半導体層から延出して低抵抗化された導体層部分により一体に構成され、両ソース配線は、絶縁膜上に設けられて該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して酸化物半導体層に接続されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)