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1. (WO2011141342) MICROELECTROMECHANICAL RESONATOR AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/141342    International Application No.:    PCT/EP2011/057178
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 05.05.2011
IPC:
H03H 3/007 (2006.01), H03H 9/24 (2006.01)
Applicants: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT [FI/FI]; Vuorimiehentie 3 FIN-02044 Vtt (FI) (For All Designated States Except US).
PENSALA, Tuomas [FI/FI]; (FI) (For US Only).
JAAKKOLA, Antti [FI/FI]; (FI) (For US Only)
Inventors: PENSALA, Tuomas; (FI).
JAAKKOLA, Antti; (FI)
Agent: IPR PARTNERS OY; Bulevardi 2-4 FIN-00120 Helsinki (FI)
Priority Data:
12/779,104 13.05.2010 US
Title (EN) MICROELECTROMECHANICAL RESONATOR AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) RÉSONATEUR MICROÉLECTROMÉCANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to temperature compensated microelectro-mechanical (MEMS) resonators (300) preferably made of silicon Prior art MEMS resonators have a significant temperature coefficient of resonance frequency, whereby it is difficult to achieve a sufficiently good frequency stability. The inventive MEMS resonator has a resonance plate (310) which resonates in Lamé mode. The resonance plate is p+ doped material, such as silicon doped with boron, and the concentrationof the p+ doping is such that the plate has a temperature coefficient of resonance frequency near to zero. The tensile stress and the second order temperature coefficient can further be reduced by doping the plate with germanium.
(FR)L'invention concerne des résonateurs microélectromécaniques à compensation de température (MEMS) (300) constitués de préférence de silicium. Les résonateurs MEMS de l'art antérieur présentent un coefficient de température de fréquence de résonance significatif, ce qui ne facilite pas l'obtention d'une stabilité de fréquence suffisamment bonne. Le résonateur MEMS de l'invention comprend une plaque de résonance (310) qui résonne en mode Lamé. La plaque de résonance est composée d'un matériau dopé p+, de type silicium dopé par du bore, et la concentration du dopage p+ est telle que la plaque présente un coefficient de température de fréquence de résonance proche de zéro. La contrainte de traction et le coefficient de température de deuxième ordre peuvent également être réduits par dopage de la plaque avec du germanium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)