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1. (WO2011140685) DOUBLE-BEAM LASER DEVICE OF HIGHLY CHARGED IONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/140685    International Application No.:    PCT/CN2010/000821
Publication Date: 17.11.2011 International Filing Date: 10.06.2010
IPC:
H01S 3/0955 (2006.01), H01S 3/0959 (2006.01), H01S 3/097 (2006.01)
Applicants: JIANG, Renbin [CN/CN]; (CN).
WANG, Wanjue [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Xiaodong [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: JIANG, Renbin; (CN).
WANG, Wanjue; (CN).
WANG, Xiaodong; (CN)
Priority Data:
201020194991.9 08.05.2010 CN
Title (EN) DOUBLE-BEAM LASER DEVICE OF HIGHLY CHARGED IONS
(FR) DISPOSITIF LASER DOUBLE FAISCEAU À IONS HAUTEMENT CHARGÉS
(ZH) 高电荷离子双束激光发射装置
Abstract: front page image
(EN)A double-beam laser device of highly charged ions includes an inputting part (A) of a monocharge ion beam generated by transverse repetitive collision of low speed surface electron current, an ionization ring (B) for highly charge ions generated by transverse repetitive collision of higher speed surface electron current, and an excitation ring (C) for highly charge ions generated by transverse repetitive collision of the highest speed surface electron current.
(FR)La présente invention concerne un dispositif laser double faisceau à ions hautement chargés comprenant une partie d'entrée (A) d'un faisceau d'ions monochargés produits par une collision répétitive transversale d'un courant électronique de surface de faible vitesse, une bague d'ionisation (B) pour des ions hautement chargés produits par une collision répétitive transversale d'un courant électronique de surface de plus grande vitesse, et une bague d'excitation (C) pour des ions hautement chargés produits par une collision répétitive transversale du courant électronique de surface ayant la plus grande vitesse.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)