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1. (WO2011140033) TECHNIQUES FOR REFRESHING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/140033    International Application No.:    PCT/US2011/034924
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 03.05.2011
IPC:
G11C 7/10 (2006.01), G11C 8/14 (2006.01), G11C 11/401 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 800 South Federal Way Boise, ID 83716 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: LUTHRA, Yogesh; (CH)
Agent: ANDERSON, Thomas, E.; Hunton & Williams LLP Intellectual Property Department 1900 K Street, N.W., Suite 1200 Washington, DC 20006-1109 (US)
Priority Data:
13/031,906 22.02.2011 US
61/332,037 06.05.2010 US
Title (EN) TECHNIQUES FOR REFRESHING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) TECHNIQUES DE RAFRAÎCHISSEMENT DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)Techniques for refreshing a semiconductor memory device are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a semiconductor memory device including a plurality of memory cells arranged in an array of rows and columns. Each memory cell may include a first region coupled to a source line and a second region coupled to a carrier injection line. Each memory cell may also include a body region capacitively coupled to at least one word line and disposed between the first region and the second region and a decoupling resistor coupled to at least a portion of the body region.
(FR)L'invention porte sur des techniques de rafraîchissement d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs. Dans un mode de réalisation à titre d'exemple particulier, les techniques peuvent être réalisées sous la forme d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur comprenant une pluralité de cellules de mémoire agencées en une matrice de rangées et de colonnes. Chaque cellule de mémoire peut comprendre une première région couplée à une ligne de source et une seconde région couplée à une ligne d'injection de porteurs. Chaque cellule de mémoire peut également comprendre une région de corps couplée de façon capacitive à au moins une ligne de mots et agencée entre la première région et la seconde région, et une résistance de découplage couplée à au moins une partie de la région de corps.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)