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1. (WO2011139862) HERMETIC WAFER-TO-WAFER BONDING WITH ELECTRICAL INTERCONNECTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139862    International Application No.:    PCT/US2011/034399
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 28.04.2011
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), A61B 5/00 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), A61N 1/375 (2006.01)
Applicants: MEDTRONIC, INC. [US/US]; 710 Medtronic Parkway, Ms Lc340 Minneapolis, MN 55432 (US) (For All Designated States Except US).
RUBEN, David, A. [US/US]; (US) (For US Only).
MATTES, Michael, F. [US/US]; (US) (For US Only).
SMITH, Jonathan, R. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RUBEN, David, A.; (US).
MATTES, Michael, F.; (US).
SMITH, Jonathan, R.; (US)
Agent: BARRY, Carol, F.; 710 Medtronic Parkway, Ms Lc340 Minneapolis, MN 55432 (US)
Priority Data:
61/328,981 28.04.2010 US
61/328,973 28.04.2010 US
13/096,968 28.04.2011 US
Title (EN) HERMETIC WAFER-TO-WAFER BONDING WITH ELECTRICAL INTERCONNECTION
(FR) COLLAGE HERMÉTIQUE DE PLAQUETTES AVEC INTERCONNEXIONS ÉLECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)An implantable medical device (IMD) is disclosed. The !MD includes a first substrate having a front side and a backside. A first via is formed in the front side, the via extending from a bottom point in the front side to a first height located at a surface of the front side. A first conductive pad is formed in the first via, the first conductive pad having an exposed top surface lower than first height. A second substrate is coupled to the first substrate, the second substrate having a second via formed in the front side, the via extending from a bottom point in the front side to a second height located at a surface of the front side. A second conductive pad is formed in the second via, the second conductive pad having an exposed top surface lower than second height. The coupled substrates are heated until a portion of one or both conductive pads refiow, dewet, agglomerate, and merge to form an interconnect, hermetic seal, or both depending on the requirements of the device.
(FR)Le dispositif médical implantable (DMI) ci-décrit comprend un premier substrat ayant un côté avant et un côté arrière. Un premier trou traversant est formé dans le côté avant, ledit trou traversant s'étendant d'un point le plus bas du côté avant jusqu'à une première hauteur située à une surface du côté avant. Un premier plot conducteur est formé dans le premier trou traversant, ledit premier plot conducteur ayant une surface supérieure exposée plus basse que la première hauteur. Un second substrat est couplé au premier, ledit second substrat ayant un second trou traversant formé dans le côté avant, ledit trou traversant s'étendant d'un point le plus bas du côté avant jusqu'à une seconde hauteur située à une surface du côté avant. Un second plot conducteur est formé dans le second trou traversant, ledit second plot conducteur ayant une surface supérieure exposée plus basse que la seconde hauteur. Les substrats couplés sont chauffés jusqu'à ce qu'une partie de l'un ou l'autre, ou des deux plots conducteurs, suivant les exigences du dispositif, soit portée à fusion, se dessèche, s'agglomère et fusionne pour former un scellement hermétique avec interconnexions.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)