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1. (WO2011139775) PROCESS CHAMBER LID DESIGN WITH BUILT-IN PLASMA SOURCE FOR SHORT LIFETIME SPECIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139775    International Application No.:    PCT/US2011/034147
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 27.04.2011
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
KAO, Chien-Teh [US/US]; (US) (For US Only).
LAM, Hyman W.H. [US/US]; (US) (For US Only).
CHANG, Mei [US/US]; (US) (For US Only).
OR, David T. [US/US]; (US) (For US Only).
DENNY, Nicholas R. [US/US]; (US) (For US Only).
YUAN, Xiaoxiong (John) [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KAO, Chien-Teh; (US).
LAM, Hyman W.H.; (US).
CHANG, Mei; (US).
OR, David T.; (US).
DENNY, Nicholas R.; (US).
YUAN, Xiaoxiong (John); (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/328,971 28.04.2010 US
Title (EN) PROCESS CHAMBER LID DESIGN WITH BUILT-IN PLASMA SOURCE FOR SHORT LIFETIME SPECIES
(FR) MODÈLE DE COUVERCLE DE CHAMBRE DE TRAITEMENT COMPRENANT UNE SOURCE DE PLASMA INCORPORÉE POUR ESPÈCES À COURTE DURÉE DE VIE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention generally relate to an apparatus and a method for depositing materials, and more particularly to a vapor deposition chamber configured to deposit a material during a plasma-enhanced process. In one embodiment a chamber for processing one or more substrates is provided. The chamber body comprises a chamber body defining a process volume, a substrate support disposed in the process volume and configured to support one or more substrates, a process lid assembly disposed over the substrate support, wherein the process lid assembly has a plasma cavity configured to generate a plasma and provide one or more radical species to the process volume, a RF (radio frequency) power source coupled to the gas distribution assembly, a plasma forming gas source coupled with the process lid assembly, and a reactant gas source coupled with the process lid assembly.
(FR)Des modes de réalisation de l'invention concernent généralement un appareil et un procédé pour le dépôt de substances, et plus particulièrement une chambre de dépôt par évaporation sous vide conçue pour déposer une substance pendant un procédé assisté par plasma. Dans un mode de réalisation, une chambre pour le traitement d'un ou de plusieurs substrats est fournie. Le corps de chambre comprend un corps de chambre définissant un volume de traitement, un support de substrat disposé dans le volume de traitement et conçu pour supporter un ou plusieurs substrats, un ensemble couvercle de traitement disposé sur le support de substrat, l'ensemble couvercle de traitement comprenant une cavité de plasma conçue pour générer un plasma et fournissant une ou plusieurs espèces de radicaux au volume de traitement, une source d'alimentation en RF (radiofréquence) accouplée à l'ensemble de distribution de gaz, une source de gaz plasmagène accouplée à l'ensemble couvercle de traitement, et une source de gaz réactant accouplée à l'ensemble couvercle de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)