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1. (WO2011139754) ELECTRONIC GATE ENHANCEMENT OF SCHOTTKY JUNCTION SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139754    International Application No.:    PCT/US2011/034107
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 27.04.2011
IPC:
H01L 31/07 (2012.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 223 Grinter Hall Gainesville, FL 32611 (US) (For All Designated States Except US).
RINZLER, Andrew, Gabriel [US/US]; (US) (For US Only).
WADHWA, Pooja [IN/US]; (US) (For US Only).
GUO, Jing [CN/US]; (US) (For US Only).
SEOL, Gyungseon [KR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RINZLER, Andrew, Gabriel; (US).
WADHWA, Pooja; (US).
GUO, Jing; (US).
SEOL, Gyungseon; (US)
Agent: SCHOEN, Randy, R.; Thomas, Kayden, Horstemeyer & Risley, LLP 400 Interstate North Parkway, Suite 1500 Atlanta, GA 30339 (US)
Priority Data:
61/328,417 27.04.2010 US
Title (EN) ELECTRONIC GATE ENHANCEMENT OF SCHOTTKY JUNCTION SOLAR CELLS
(FR) AMÉLIORATION DE PORTE ÉLECTRONIQUE DE CELLULES SOLAIRES À JONCTION SCHOTTKY
Abstract: front page image
(EN)Various systems and methods are provided for Schottky junction solar cells. In one embodiment, a solar cell includes a mesh layer formed on a semiconductor layer and an ionic layer formed on the mesh layer. The ionic layer seeps through the mesh layer and directly contacts the semiconductor layer. In another embodiment, a solar cell includes a first mesh layer formed on a semiconductor layer, a first metallization layer coupled to the first mesh layer, a second high surface area electrically conducting electrode coupled to the first metallization layer by a gate voltage, and an ionic layer in electrical communication with the first mesh layer and the second high surface area electrically conducting electrode. In another embodiment, a solar cell includes a grid layer formed on a semiconductor layer and an ionic layer in electrical communication with the grid layer and the semiconductor layer.
(FR)L'invention porte sur divers systèmes et procédés pour cellules solaires à jonction Schottky. Selon un mode de réalisation, une cellule solaire comprend une couche de mailles formée sur une couche semi-conductrice et une couche ionique formée sur la couche de mailles. La couche ionique suinte à travers la couche de mailles et entre directement en contact avec la couche semi-conductrice. Selon un autre mode de réalisation, une cellule solaire comprend une première couche de mailles formée sur une couche semi-conductrice, une première couche de métallisation couplée à la première couche de mailles, une seconde électrode électriquement conductrice à grande surface active couplée à la première couche de métallisation par une tension de commande, et une couche ionique en communication électrique avec la première couche de mailles et la seconde électrode électriquement conductrice à grande surface active. Selon un autre mode de réalisation, une cellule solaire comprend une couche de grille formée sur une couche semi-conductrice et une couche ionique en communication électrique avec la couche de grille et la couche semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)