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1. (WO2011139593) METHOD OF MAKING A NANOSTRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139593    International Application No.:    PCT/US2011/033536
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 22.04.2011
IPC:
B29C 59/14 (2006.01), G02B 1/11 (2006.01)
Applicants: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US) (For All Designated States Except US).
DAVID, Moses M. [US/US]; (US) (For US Only).
YU, Ta-Hua [US/US]; (US) (For US Only).
HARTZELL, Andrew K. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DAVID, Moses M.; (US).
YU, Ta-Hua; (US).
HARTZELL, Andrew K.; (US)
Agent: WOLF, Stephen F.; 3M Center Office of Intellectual Property Counsel Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US)
Priority Data:
61/330,592 03.05.2010 US
Title (EN) METHOD OF MAKING A NANOSTRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE NANOSTRUCTURE
Abstract: front page image
(EN)A method of making a nanostructure is provided that includes applying a thin, random discontinuous masking layer (105) to a major surface (103) of a substrate (101) by plasma chemical vapor deposition. The substrate (101) can be a polymer, an inorganic material, an alloy, or a solid solution. The masking layer (105) can include the reaction product of plasma chemical vapor deposition using a reactant gas comprising a compound selected from the group consisting of organosilicon compounds, metal alkyls, metal isopropoxides, metal acetylacetonates, and metal halides. Portions (107) of the substrate (101) not protected by the masking layer (105) are then etched away by reactive ion etching to make the nanostructures.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une nanostructure, qui comprend l'application d'une couche de masquage discontinue aléatoire mince (105) sur une surface principale (103) d'un substrat (101) par dépôt chimique en phase de vapeur assisté par plasma. Le substrat (101) peut être un polymère, un matériau inorganique, un alliage ou une solution solide. La couche de masquage (105) peut comprendre le produit de réaction du dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma effectué au moyen d'un gaz réactif comprenant un composé sélectionné dans le groupe constitué par les composés d'organosilicium, les alkyles métalliques, les isopropylates métalliques, les acétylacétonates métalliques et les halogénures métalliques. Les parties (107) du substrat (101) non protégées par la couche de masquage (105) sont ensuite enlevées par gravure ionique réactive pour former les nanostructures.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)