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1. (WO2011139472) INLINE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139472    International Application No.:    PCT/US2011/031509
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 07.04.2011
IPC:
C23C 16/54 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: AVENTA SYSTEMS, LLC [US/US]; 44 Garden Street Danvers, Massachusetts 01923 (US) (For All Designated States Except US).
SFERLAZZO, Piero [IT/US]; (US) (For US Only).
TOMPA, Gary, S. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SFERLAZZO, Piero; (US).
TOMPA, Gary, S.; (US)
Agent: GUERIN, William, G.; Guerin & Rodriguez, LLP 5 Mount Royal Avenue Mount Royal Office Park Marlborough, MA 01752 (US)
Priority Data:
12/767,112 26.04.2010 US
Title (EN) INLINE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM
(FR) SYSTÈME DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR EN LIGNE
Abstract: front page image
(EN)An inline CVD system includes a manifold and a continuous transport system. The manifold has a plurality of ports. The ports include a first precursor port, a pair of second precursor ports and a pair of pumping ports. The first precursor port is disposed between the second precursor ports and the pair of second precursor ports is disposed between the pumping ports. The first precursor port and the pair of second precursor ports are configured for coupling to a first precursor gas source and a second precursor gas source, respectively, and the pumping ports are configured to couple to a discharge system to exhaust the first and second precursor gases during a CVD process. The continuous transport system transports a substrate adjacent to the plurality of ports during the CVD process.
(FR)La présente invention a pour objet un système de dépôt chimique en phase vapeur en ligne comprenant un collecteur et un système de transport continu. Le collecteur possède une pluralité d'orifices. Les orifices comprennent un premier orifice de précurseur, une paire de seconds orifices de précurseur et une paire d'orifices de pompage. Le premier orifice de précurseur est disposé entre les seconds orifices de précurseur et la paire de seconds orifices de précurseur est disposée entre les orifices de pompage. Le premier orifice de précurseur et la paire de seconds orifices de précurseur sont conçus pour s'accoupler à une première source de gaz précurseur et à une seconde source de gaz précurseur, respectivement, et les orifices de pompage sont conçus pour s'accoupler à un système d'évacuation pour faire s'échapper les premier et second gaz précurseurs pendant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur. Le système de transport continu transporte un substrat de manière adjacente à la pluralité d'orifices pendant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)