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1. (WO2011139397) METHOD OF PROVIDING GALVANIC ISOLATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139397    International Application No.:    PCT/US2011/026474
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 28.02.2011
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 2900 Semiconductor Drive M/s D3-579 Santa Clara, CA 95051-8090 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: HOPPER, Peter, J.; (US).
FRENCH, William; (US)
Agent: PICKERING, Mark; P.o. Box 151440 San Rafael, CA 94915-1440 (US)
Priority Data:
12/771,829 30.04.2010 US
Title (EN) METHOD OF PROVIDING GALVANIC ISOLATION
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE ISOLATION GALVANIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a semiconductor wafer with galvanic isolation attaches a non-conductive wafer (120) to a silicon wafer (110) to form a hybrid wafer (130). After a number of hybrid wafers (130) have been formed, the hybrid wafers (130) are simultaneously wet etched to thin the non-conductive wafer (120) of each hybrid wafer (130). Following this, a number of high-voltage devices (136) are formed on the thinned non-conductive wafer (120) of each hybrid wafer (130). Once the high- voltage devices (136) have formed, the silicon wafer (110) of each hybrid wafer (130) is thinned or removed so that the hybrid wafer (130) is suitable for packaging.
(FR)L'invention porte sur un procédé permettant de doter une tranche de semi-conducteur d'une isolation galvanique, lequel procédé comprend la fixation d'une tranche non conductrice (120) à une tranche de silicium (110) pour former une tranche hybride (130). Après qu'un certain nombre de tranches hybrides (130) ont été formées, les tranches hybrides (130) sont simultanément attaquées par voie humide pour amincir la tranche non conductrice (120) de chaque tranche hybride (130). Ensuite, un certain nombre de dispositifs à haute tension (136) sont formés sur la tranche non conductrice amincie (120) de chaque tranchée hybride (130). Lorsque les dispositifs à haute tension (136) ont été formés, la tranche de silicium (110) de chaque tranche hybride (130) est amincie ou évacuée, de telle sorte que la tranche hybride (130) est appropriée pour le conditionnement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)