WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011139340) THROUGHPUT ENHANCEMENT FOR SCANNED BEAM ION IMPLANTERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/139340    International Application No.:    PCT/US2011/000735
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 27.04.2011
IPC:
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/302 (2006.01)
Applicants: AXCELIS TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Attn: Denis A. Robitaille 108 Cherry Hill Drive Beverly, Massachusetts 01915 (US) (For All Designated States Except US).
EISNER, Edward [US/US]; (US) (For US Only).
VANDERBERG, Bo [SE/US]; (US) (For US Only)
Inventors: EISNER, Edward; (US).
VANDERBERG, Bo; (US)
Priority Data:
12/774,037 05.05.2010 US
Title (EN) THROUGHPUT ENHANCEMENT FOR SCANNED BEAM ION IMPLANTERS
(FR) AMÉLIORATION DU RENDEMENT POUR IMPLANTEURS IONIQUES À FAISCEAU À BALAYAGE
Abstract: front page image
(EN)An ion implantation method and system for providing greater throughput is disclosed. An ion beam (112) is scanned across the surface of a workpiece at a first scan rate (VslowScan) when a cross-sectional area of the ion beam is entirely impingent on the surface of the workpiece; and the first scan rate is increased to a second rate (VFastScan) at a location (214) where a portion of the cross sectional area of the beam extends beyond the outer edge (140) of the workpiece. Some embodiments use a scan pattern where beam flux measurements are taken off-workpiece during actual implantation, and where the implantation routine can be changed in real-time to account for changes in beam flux.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un système d'implantation ionique offrant un meilleur rendement. Un faisceau ionique (112) balaie la surface d'une pièce à une première vitesse de balayage (VBalayageLent) lorsqu'une surface de section transversale du faisceau ionique empiète complètement sur la surface de la pièce; et la première vitesse de balayage est augmentée jusqu'à une seconde vitesse (VBalayageRapide) en un emplacement (214) où une partie de la surface de section transversale du faisceau s'étend au-delà du bord extérieur (140) de la pièce. Certains modes de réalisation font intervenir l'utilisation de motifs de balayage, des mesures de flux de faisceau étant faites hors de la pièce au cours de l'implantation réelle, et la routine d'implantation pouvant être modifiée en temps réel pour prendre en compte les changements dans le flux de faisceau.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)