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1. (WO2011138385) NEAR FIELD SENSOR FOR LOCALLY MEASURING DIELECTRIC PROPERTIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/138385    International Application No.:    PCT/EP2011/057183
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 05.05.2011
IPC:
G01Q 60/22 (2010.01), G01N 22/00 (2006.01)
Applicants: TUTECH INNOVATION GMBH [DE/DE]; Harburger Schlossstraße 6-12 21079 Hamburg (DE) (For All Designated States Except US).
TECHNISCHE UNIVERSITÄT HAMBURG-HARBURG [DE/DE]; Schwarzenbergstraße 95 21073 Hamburg (DE) (For All Designated States Except US).
AMBROZKIEWICZ, Mikolaj [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JACOB, Arne F. [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: AMBROZKIEWICZ, Mikolaj; (DE).
JACOB, Arne F.; (DE)
Agent: GLAWE DELFS MOLL; Rothenbaumchaussee 58 20148 Hamburg (DE)
Priority Data:
10 2010 019 525.1 06.05.2010 DE
Title (DE) NAHFELDSENSOR ZUR LOKALEN MESSUNG VON DIELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN
(EN) NEAR FIELD SENSOR FOR LOCALLY MEASURING DIELECTRIC PROPERTIES
(FR) CAPTEUR À CHAMP PROCHE POUR LA MESURE LOCALE DE PROPRIÉTÉS DIÉLECTRIQUES
Abstract: front page image
(DE)Der Nahfeldsensor zur lokalen Messung von dielektrischen Eigenschaften von Untersuchungsobjekten mit Hilfe von Mikrowellen, mit einem Mikrowellenresonator (1, 2) und mit einer aus demselben herausragenden Messspitze (6) zum Abtasten des Untersuchungsobjekts (7), zeichnet sich dadurch aus, dass der Resonator aus zwei im wesentlichen gleichen durch einen Schlitz (8) gekoppelten Hälften (1, 2) besteht, die übereinander mit einer gemeinsamen elektrisch leitenden Zwischenwand (3) angeordnet sind, dass die Messspitze (6) in der Ebene der elektrisch leitenden Zwischenwand (3) angeordnet und mit derselben im Bereich des Schlitzes (8) verbunden ist, und dass der Nahfeldsensor in planarer Technologie substratintegriert mit einer geeigneten Mehrlagenanordnung hergestellt ist.
(EN)The invention relates to a near field sensor for locally measuring dielectric properties of test objects with the aid of microwaves, comprising a microwave resonator (1, 2) and a measuring tip (6) which protrudes from said resonator for scanning the test object (7). The near field sensor is characterised in that the resonator consists of two substantially identical halves (1, 2) coupled by a slot (8), which are arranged one above the other with a common electrically conductive intermediate wall (3), the measuring tip (6) is arranged in the plane of the electrically conductive intermediate wall (3) and is connected thereto in the region of the slot (8), and the near field sensor is produced in planar technology, integrated in the substrate, having a suitable multi-layer arrangement.
(FR)L'invention concerne un capteur à champ proche pour la mesure locale de propriétés diélectriques d'objets à analyser au moyen de micro-ondes, comprenant un résonateur micro-ondes (1, 2) et une pointe de mesure (6) en saillie de celui-ci, pour le balayage de l'objet à analyser (7), caractérisé en ce que le résonateur comprend deux moitiés (1, 2) sensiblement égales, accouplées par une rainure (8), qui sont disposées superposées au moyen d'une paroi intermédiaire (3) électroconductrice commune, de façon que la pointe de mesure (6) soit disposée dans le plan de la paroi intermédiaire électroconductrice et soit liée avec celle-ci dans la zone de la rainure (8), et en ce que le capteur à champ proche est produit en technologie planaire, intégré au substrat, au moyen d'un dispositif multicouche approprié.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)