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1. (WO2011138331) PVD HYBRID METHOD FOR DEPOSITING MIXED CRYSTAL LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/138331    International Application No.:    PCT/EP2011/057064
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 03.05.2011
IPC:
C23C 14/22 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/32 (2006.01)
Applicants: WALTER AG [DE/DE]; Derendinger Straße 53 72072 Tübingen (DE) (For All Designated States Except US).
ENGELHART, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHIER, Veit [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ENGELHART, Wolfgang; (DE).
SCHIER, Veit; (DE)
Agent: WEBER, Roland; WSL Patentanwälte Partnerschaftsgesellschaft Postfach 61 45 65051 Wiesbaden (DE)
Priority Data:
10 2010 028 558.7 04.05.2010 DE
Title (DE) PVD-HYBRIDVERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN VON MISCHKRISTALLSCHICHTEN
(EN) PVD HYBRID METHOD FOR DEPOSITING MIXED CRYSTAL LAYERS
(FR) PROCÉDÉ DE PVD HYBRIDE POUR DÉPOSER DES COUCHES DE CRISTAL MIXTE
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Mischkristallschichten mit wenigstens zwei verschiedenen Metallen (M1, M2) auf einem Substrat mittels PVD-Verfahren. Um ein Verfahren zum Abscheiden von Mischkristallschichten mit wenigstens zwei verschiedenen Metallen auf einem Substrat mittels PVD-Verfahren bereitzustellen, mit dem man Mischkristallschichten erhält, die möglichst frei sind von Makropartikeln (Droplets) und die einen möglichst hohen Anteil einer gewünschten kristallinen Phase aufweisen und hochkristallin sind, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Abscheiden der Mischkristallschicht unter gleichzeitiger Anwendung i) des Kathodenzerstäubungsverfahrens duales Magnetronsputtern oder High Power Impulse Magnetronsputtern (HIPIMS) und ii) Lichtbogenverdampfen (Arc-PVD) durchgeführt wird.
(EN)The present invention relates to a method for depositing mixed crystal layers having at least two different metals (M1, M2) on a substrate by means of a PVD method. In order to provide a method for depositing mixed crystal layers having at least two different metals on a substrate by means of a PVD method, by means of which mixed crystal layers that are as free as possible from macroparticles (droplets) and that have as great a proportion as possible of a desired crystalline phase and that are highly crystalline are obtained, the deposition of the mixed crystal layer is performed while simultaneously applying I) the cathode sputtering method of dual magnetron sputtering or high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) and ii) arc vaporization (arc PVD).
(FR)La présente invention concerne un procédé pour déposer des couches de cristal mixte comprenant au moins deux métaux (M1, M2) différents sur un substrat au moyen d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur. Pour permettre la mise au point d'un tel procédé permettant l'obtention de couches de cristal mixte qui sont au maximum dépourvues de macroparticules (gouttelettes), ont une teneur très élevée en une phase cristalline souhaitée et ont une cristallinité élevée, le dépôt de la couche de cristal mixte s'effectue selon l'invention avec application simultanée : i) du procédé de pulvérisation cathodique double magnétron ou de pulvérisation cathodique magnétron pulsé à haute puissance (HIPIMS) et ii) et de l'évaporation par arc cathodique (arc-PVD).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)