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1. (WO2011138001) SUBSTRATE ELEMENT BASED ON SILICON NITRIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/138001    International Application No.:    PCT/EP2011/002188
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 03.05.2011
IPC:
C04B 35/584 (2006.01)
Applicants: ANCERAM GMBH & CO. KG [DE/DE]; Esbachgraben 21 95463 Bindlach (DE) (For All Designated States Except US).
SICHERT, Ina [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BRUNNER, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SICHERT, Ina; (DE).
BRUNNER, Dieter; (DE)
Agent: GRIMM, Ekkehard; Edith-Stein-Straße 22 63075 Offenbach/Main (DE)
Priority Data:
10 2010 019 255.4 03.05.2010 DE
Title (DE) SUBSTRATKÖRPER AUF DER BASIS VON SILIZIUMNITRID
(EN) SUBSTRATE ELEMENT BASED ON SILICON NITRIDE
(FR) CORPS SUBSTRAT À BASE DE NITRURE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Substratkörper auf der Basis von Siliziumnitrid, der neben Siliziumnitrid (Si3N4), Anteile an Yttriumoxid (Y2O3), Magnesiumoxid (MgO) und Siliziumdioxid (SiO2) enthält, der zum einen größer 5 und kleiner 7,5 Gewichts-% Yttriumoxid (Y2O3), größer 3 bis 7,5 Gewichts-% Magnesiumoxid (MgO) und 3 bis 6 Gewichts-% Siliziumdioxid (SiO2), Rest Siliziumnitrid (Si3N4), mit der Maßgabe, dass das Verhältnis von Magnesiumoxid (MgO) zu Siliziumdioxid (SiO2) in Gewichts-% ≥ 1 beträgt, oder größer 5 und kleiner 7,5 Gewichts-% Yttriumoxid (Y2O3), 3 bis 8 Gewichts-% Scandiumoxid (Sc2O3), Rest Siliziumnitrid (Si3N4), mit der Maßgabe, dass die Summe von Yttriumoxid (Y2O3) und Scandiumoxid (Sc2O3) 8 bis 15 Gewichts-% beträgt, enthält.
(EN)The invention relates to a substrate element based on silicon nitride that as well as silicon nitride (Si3N4) comprises fractions of yttrium oxide (Y2O3), magnesium oxide (MgO) and silicon dioxide (SiO2), comprising greater than 5% and less than 7.5% by weight of yttrium oxide (Y2O3), greater than 3% to 7.5% by weight of magnesium oxide (MgO) and 3% to 6% by weight of silicon dioxide (SiO2), the remainder being silicon nitride (Si3N4), with the proviso that the ratio of magnesium oxide (MgO) to silicon dioxide (SiO2) in weight % is ≥ 1, or comprising greater than 5% and less than 7.5% by weight of yttrium oxide (Y2O3), 3% to 8% by weight of scandium oxide (Sc2O3), the remainder being silicon nitride (Si3N4), with the proviso that the sum of yttrium oxide (Y2O3) and scandium oxide (Sc2O3) is 8% to 15% by weight.
(FR)L'invention concerne un corps substrat à base de nitrure de silicium et contenant, en plus du nitrure de silicium (Si3N4), des fractions d'oxyde d'yttrium (Y2O3), d'oxyde de magnésium (MgO) et d'oxyde de silicium (SiO2); à savoir plus de 5 et moins de 7,5 % en poids d'oxyde d'yttrium (Y2O3), plus de 3 à 7,5 % en poids d'oxyde de magnésium (MgO) et 3 à 6 % en poids d'oxyde de silicium (SiO2), le reste étant du nitrure de silicium (Si3N4), sous réserve que le rapport oxyde de magnésium (MgO)/ oxyde de silicium (SiO2) exprimé en % en poids soit ≥ 1, ou que l'oxyde d'yttrium (Y2O3) soit supérieur à 5 et inférieur à 7,5 % en poids, 3 à 8 % en poids d'oxyde de scandium (Sc2O3), le reste étant constitué de nitrure de silicium (Si3N4), sous réserve que le total d'oxyde d'yttrium (Y2O3) et d'oxyde de scandium (Sc2O3) représente 8 à 15 % en poids.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)