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1. (WO2011137701) ELECTROSTATIC PROTECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/137701    International Application No.:    PCT/CN2011/072409
Publication Date: 10.11.2011 International Filing Date: 02.04.2011
IPC:
H01L 23/60 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/332 (2006.01)
Applicants: PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No. 5 Yiheyuan Road, Haidian District Beijing 100871 (CN) (For All Designated States Except US).
HUANG, Ru [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Lijie [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUANG, Ru; (CN).
ZHANG, Lijie; (CN)
Agent: BEIJING WANXIANGXINYUE INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 1330 East Wing of Beidaziyuan Buiding No. 50 Haidian Rd., Haidian District Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201010163416.7 05.05.2010 CN
Title (EN) ELECTROSTATIC PROTECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种静电保护器件及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)An electrostatic protector and a manufacturing method thereof are provided. The electrostatic protector comprises a silicon controlled rectifier (SCR) structure, which comprises: injecting p-type and n-type impurity respectively in p-well (4) and n-well (3) to form a transverse PNPN structure, wherein, the p-type injection domain in n-well (3) acts as anode (1) of the protector, the n-type injection domain in p-well (4) acts as cathode (2) of the protector, the n-type injection domain in n-well (3) acts as an extending terminal (5) of a resistance (7), the p-type injection domain in p-well acts as an extending terminal (6) of the resistance (7), and both of the extending terminals are connected to each other by the resistance (7). Such structure enables a lower trigger voltage of the SCR, reduces the areas, increases the integral and simplifies the processes.
(FR)L'invention concerne un dispositif de protection électrostatique et son procédé de fabrication. Le dispositif de protection électrostatique comprend une structure de redresseur commandé au silicium (SCR), obtenue en injectant respectivement des impuretés de type p et de type n dans des puits p (4) et des puits n (3) afin de former une structure transversale PNPN, le domaine d'injection de type p dans le puits n (3) agissant comme anode du dispositif de protection, le domaine d'injection de type n dans le puits p (4) agissant comme cathode du dispositif de protection, le domaine d'injection de type n dans le puits n (3) agissant comme borne d'extension (5) d'une résistance (7), le domaine d'injection de type p dans le puits p agissant comme borne d'extension (6) de la résistance (7) et les deux bornes d'extension étant connectées l'une avec l'autre par la résistance (7). Cette structure permet une tension de déclenchement plus basse du SCR, réduit les surfaces occupées, augmente le caractère intégré et simplifie les processus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)