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1. (WO2011137040) SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED ADHESION AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/137040    International Application No.:    PCT/US2011/033562
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 22.04.2011
IPC:
H01L 29/15 (2006.01)
Applicants: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703 (US) (For All Designated States Except US).
MIECZKOWSKI, Van [US/US]; (US) (For US Only).
HAGLEITNER, Helmut [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MIECZKOWSKI, Van; (US).
HAGLEITNER, Helmut; (US)
Agent: MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Priority Data:
12/769,307 28.04.2010 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED ADHESION AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉS D'UNE ADHÉRENCE AMÉLIORÉE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Wide bandgap semiconductor devices are fabricated by providing a wide bandgap semiconductor layer, providing a plurality of recesses in the wide bandgap semiconductor layer, and providing a metal gate contact in the plurality of recesses. A protective layer may be provided on the wide bandgap semiconductor layer, the protective layer having a first opening extending therethrough, a dielectric layer may be provided on the protective layer, the dielectric layer having a second opening extending therethrough that is narrower than the first opening, and a gate contact may be provided in the first and second openings. The metal gate contact may be provided to include a barrier metal layer in the plurality of recesses, and a current spreading layer on the barrier metal layer remote from the wide bandgap semiconductor layer. Related devices and fabrication methods are also discussed.
(FR)La présente invention a trait à des dispositifs à semi-conducteur à large écart énergétique qui sont fabriqués en fournissant une couche semi-conductrice à large écart énergétique, en fournissant une pluralité d'évidements dans la couche semi-conductrice à large écart énergétique, et en fournissant un contact de grille métallique dans la pluralité d'évidements. Une couche de protection peut être prévue sur la couche semi-conductrice à large écart énergétique, ladite couche de protection étant pourvue d'une première ouverture s'étendant à travers celle-ci, une couche diélectrique peut être prévue sur la couche de protection, ladite couche diélectrique étant pourvue d'une seconde ouverture s'étendant à travers celle-ci qui est plus étroite que la première ouverture, et un contact de grille peut être prévu dans les première et seconde ouvertures. Le contact de grille métallique peut être prévu de manière à inclure une couche métallique d'arrêt dans la pluralité d'évidements, et une couche d'étalement d'intensité de courant sur la couche métallique d'arrêt à distance de la couche semi-conductrice à large écart énergétique. La présente invention a également trait à des dispositifs et à des procédés de fabrication connexes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)