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1. (WO2011137030) BOND PAD ISOLATION AND CURRENT CONFINEMENT IN AN LED USING ION IMPLANTATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/137030    International Application No.:    PCT/US2011/033454
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 21.04.2011
IPC:
H01L 33/14 (2010.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTIOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
YU, San [CA/US]; (US) (For US Only).
CHEN, Chi-Chun [--/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YU, San; (US).
CHEN, Chi-Chun; (US)
Agent: LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
61/327,931 26.04.2010 US
13/090,301 20.04.2011 US
Title (EN) BOND PAD ISOLATION AND CURRENT CONFINEMENT IN AN LED USING ION IMPLANTATION
(FR) ISOLATION DE PLOT DE CONNEXION ET CONFINEMENT DU COURANT DANS UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À L'AIDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE
Abstract: front page image
(EN)An improved method of creating LEDs is disclosed. Rather than using a dielectric coating to separate the bond pads from the top surface of the LED, this region of the LED is implanted with ions to increase its resistivity to minimize current flow therethrough. In another embodiment, a plurality of LEDs are produced on a single substrate by implanting ions in the regions between the LEDs and then etching a trench, where the trench is narrower than the implanted regions and positioned within these regions. This results in a trench where both sides have current confinement capabilities to reduce leakage.
(FR)La présente invention a trait à un procédé amélioré permettant de créer des diodes électroluminescentes. Plutôt que d'utiliser un revêtement diélectrique afin de séparer les plots de connexion de la surface supérieure de la diode électroluminescente, cette zone de la diode électroluminescente est implantée avec des ions de manière à augmenter sa résistivité afin de minimiser la circulation du courant à travers celle-ci. Selon un autre mode de réalisation, une pluralité de diodes électroluminescentes est produite sur un substrat unique en implantant des ions dans les zones situées entre les diodes électroluminescentes puis en gravant une tranchée, laquelle tranchée est plus étroite que les zones implantées et est placée à l'intérieur de ces zones. Ceci permet d'obtenir une tranchée dont les deux côtés présentent des capacités de confinement de courant de manière à réduire les fuites.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)