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1. (WO2011136965) INVALID WRITE PREVENTION FOR STT-MRAM ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136965    International Application No.:    PCT/US2011/032900
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 18.04.2011
Chapter 2 Demand Filed:    29.02.2012    
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US) (For All Designated States Except US).
RYU, Kyungho [KR/KR]; (US) (For US Only).
KIM, Jisu [KR/KR]; (US) (For US Only).
JUNG, Seong-Ook [KR/KR]; (US) (For US Only).
KANG, Seung H. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RYU, Kyungho; (US).
KIM, Jisu; (US).
JUNG, Seong-Ook; (US).
KANG, Seung H.; (US)
Agent: TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Priority Data:
12/769,995 29.04.2010 US
Title (EN) INVALID WRITE PREVENTION FOR STT-MRAM ARRAY
(FR) PRÉVENTION D'ÉCRITURE NON VALIDE POUR UN RÉSEAU DE MÉMOIRE STT-MRAM
Abstract: front page image
(EN)In a Spin Transfer Torque Magnetoresi stive Random Access Memory (STT-MRAM) a bit cell array can have a source line substantially parallel to a word line. The source line can be substantially perpendicular to bit lines. A source line control unit includes a common source line driver and a source line selector configured to select individual ones of the source lines. The source line driver and source line selector can be coupled in multiplexed relation. A bit line control unit includes a common bit line driver and a bit line selector in multiplexed relation. The bit line control unit includes a positive channel metal oxide semiconductor (PMOS) element coupled between the common source line driver and bit line select lines and bit lines. Write disturb is prevented by setting a voltage associated with unselected ones of the bit lines equal to a selected source line.
(FR)Dans une mémoire vive magnétorésistive à couple de transfert de spin (STT-MRAM), un réseau de cellules binaires peut avoir une ligne de source sensiblement parallèle à une ligne de mots. La ligne de source peut être sensiblement perpendiculaire à des lignes de bit. Une unité de commande de ligne de source comprend un dispositif de commande de ligne de source commun et un dispositif de sélection de ligne de source configuré pour sélectionner des lignes individuelles parmi les lignes de source. Le dispositif de commande de ligne de source et le dispositif de sélection de ligne de source peuvent être couplés dans une relation multiplexée. Une unité de commande de ligne de bit comprend un dispositif de commande de ligne de bit commun et un dispositif de sélection de ligne de bit dans une relation multiplexée. L'unité de commande de ligne de bit comprend un élément métal-oxyde-semi-conducteur à canal p (PMOS) couplé entre le dispositif de commande de ligne de source commun et les lignes de sélection de ligne de bit et les lignes de bit. Une perturbation en écriture est empêchée par réglage d'une tension associée à des lignes de bit non sélectionnées de valeur égale à celle d'une ligne de source sélectionnée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)