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1. (WO2011136889) JOSEPHSON MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY SYSTEM AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136889    International Application No.:    PCT/US2011/030311
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 29.03.2011
IPC:
G11C 11/00 (2006.01)
Applicants: NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East Los Angeles, California 90067 (US) (For All Designated States Except US).
HERR, Anna Y [SE/US]; (US) (For US Only).
HERR, Quentin P [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HERR, Anna Y; (US).
HERR, Quentin P; (US)
Agent: HARRIS, Christopher P; Tarolli, Sundheim, Covell & Tummino LLP 1300 East Ninth Street Suite 1700 Cleveland, Ohio 44114 (US)
Priority Data:
12/771,454 30.04.2010 US
Title (EN) JOSEPHSON MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTÈME DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE DE TYPE JOSEPHSON ET PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(EN)One aspect of the present invention includes a Josephson magnetic random access memory (JMRAM) system. The system includes an array of memory cells arranged in rows and columns. Each of the memory cells includes an HMJJD that is configured to store a digital state corresponding to one of a binary logic-1 state and a binary logic-0 state in response to a word-write current that is provided on a word-write line and a bit-write current that is provided on a bit-write line. The HMJJD is also configured to output the respective digital state in response to a word-read current that is provided on a word-read line and a bit-read current that is provided on a bit-read line.
(FR)Un aspect de la présente invention comprend un système de mémoire vive magnétique de type Josephson (JMRAM). Le système comprend une matrice de cellules mémoires agencées en rangées et en colonnes. Chacune des cellules mémoires comprend un HMJJD qui est configuré pour stocker un état numérique correspondant à l'un d'un état logique binaire 1 et d'un état logique binaire 0 en réponse à un courant d'écriture de mot qui est fourni sur une ligne d'écriture de mot et à un courant d'écriture de bit qui est fourni sur une ligne d'écriture de bit. Le HMJJD est également configuré pour émettre l'état numérique respectif en réponse à un courant de lecture de mot qui est fourni sur une ligne de lecture de mot et à un courant de lecture de bit qui est fourni sur une ligne de lecture de bit.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)