WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136864    International Application No.:    PCT/US2011/025569
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 19.02.2011
G01R 31/26 (2006.01), H05B 33/08 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449 (US) (For All Designated States Except US).
SCHMIDT, Richard, A. [US/US]; (US) (For US Only).
PERLEY, Mitchell, Q. [US/US]; (US) (For US Only).
KUEHN, Robert, A. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHMIDT, Richard, A.; (US).
PERLEY, Mitchell, Q.; (US).
KUEHN, Robert, A.; (US)
Agent: GIFFORD, Eric; Law Offices Of Eric A. Gifford 11770 E. Calle Del Valle Tucson, AZ 85749 (US)
Priority Data:
12/769,461 28.04.2010 US
Abstract: front page image
(EN)A Built-in Test (BIT) for a photoconductive photodiode is performed using the health or characteristics of the photodiode' s parasitic capacitance as a "proxy" for the health or characteristics of the photodiode itself. A failure or degradation of the photodiode manifests as a similar failure or degradation of the parasitic capacitance. Under normal operating conditions, the photoconductive photodiode responds to incident photons from a target by generating a photocurrent signal at its cathode. A processor processes the signals from one or more photodiodes to evaluate characteristics of the target. To perform the BIT, a time-varying voltage signal is applied at the photodiode's anode. This signal is coupled through the parasitic capacitance to produce a test current signal at the photodiode's anode. The processor processes the signal to evaluate the health or characteristics of the parasitic capacitance and thus the photodiode.
(FR)L'invention concerne un test intégré (BIT) pour une photodiode photoconductrice qui est effectué en utilisant la santé ou les caractéristiques de la capacité parasite de la photodiode comme « mandataire » pour la santé ou les caractéristiques de la photodiode elle-même. Une défaillance ou une dégradation de la photodiode se manifeste comme une défaillance ou dégradation similaire de la capacité parasite. Dans des conditions normales de fonctionnement, la photodiode photoconductrice répond à des photons incidents provenant d'une cible en générant un signal de photocourant à sa cathode. Un processeur traite les signaux provenant d'une ou plusieurs photodiodes pour évaluer les caractéristiques de la cible. Pour effectuer le BIT, un signal de tension variant dans le temps est appliqué à l'anode de la photodiode. Ce signal est couplé par la capacité parasite pour produire un signal de courant d'essai à l'anode de la photodiode. Le processeur traite le signal pour évaluer la santé ou les caractéristiques de la capacité parasite et ainsi celles de la photodiode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)