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1. (WO2011136294) TEMPERATURE SENSOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND TEMPERATURE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136294    International Application No.:    PCT/JP2011/060310
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 27.04.2011
IPC:
G01K 7/22 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
Applicants: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP) (For All Designated States Except US).
KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Aza Yokomichi, Oaza Nagakute, Nagakute-cho, Aichi-gun Aichi 4801192 (JP) (For All Designated States Except US).
HORI, Tsunenobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUZUOKA, Kaoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OGAWA, Chiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATOU, Motoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMADA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Takao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HORI, Tsunenobu; (JP).
KUZUOKA, Kaoru; (JP).
OGAWA, Chiaki; (JP).
SATOU, Motoki; (JP).
YAMADA, Katsunori; (JP).
KOBAYASHI, Takao; (JP)
Agent: KIKUCHI, Yasuhiro; Yotsuya International Patent Firm, Yotsuya Kobayashi Building 6th Floor, 14, Yotsuya 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600004 (JP)
Priority Data:
2010-104413 28.04.2010 JP
2011-084154 06.04.2011 JP
Title (EN) TEMPERATURE SENSOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND TEMPERATURE SENSOR
(FR) ÉLÉMENT CAPTEUR DE TEMPÉRATURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET CAPTEUR DE TEMPÉRATURE
(JA) 温度センサ素子及びその製造方法、並びに、温度センサ
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a temperature sensor element which comprises a thermistor that is configured of an Si-based ceramic and a pair of metal electrodes that are bonded to the surfaces of the thermistor. The metal electrodes contain Cr and a metal element α that has a higher Si diffusion coefficient than Cr. Diffusion layers, wherein silicide of the metal element α is present in the grain boundary of the Si-based ceramic, are formed at respective interfaces between the thermistor and the metal electrodes. A temperature sensor that has heat resistance and bonding reliability and is particularly capable of detecting temperatures over a rage from -50˚C to 1050˚C with high accuracy can be obtained due to the diffusion layers.
(FR)La présente invention concerne un élément capteur de température, comprenant une thermistance constituée de céramique à base de Si et d'une paire d'électrodes métalliques collées aux surfaces de la thermistance. Les électrodes métalliques contiennent du Cr et un élément métallique α dont le coefficient de diffusion de Si est supérieur à celui du Cr. Des couches de diffusion, comportant un siliciure de l'élément métallique α dans le joint de grain de la céramique à base de Si, sont formées aux interfaces respectives entre la thermistance et les électrodes métalliques. Grâce aux couches de diffusion, il est possible d'obtenir un capteur de température offrant résistance à la chaleur et fiabilité de liaison, et particulièrement conçu pour détecter des températures sur une gamme allant de -50 °C à 1 050 °C avec une grande précision.
(JA) 温度センサ素子は、Si系セラミックスから構成されるサーミスタと、その表面に接合する一対の金属電極とを備える。金属電極は、Crと、Siの拡散係数がCrよりも高い金属元素αと、を含有している。サーミスタと金属電極との界面には、金属元素αのシリサイドがSi系セラミックスの結晶粒界中に存在する拡散層が形成される。この拡散層により、耐熱性及び接合信頼性を確保し、特に、-50℃~1050℃の温度域においても、高精度な温度検出が可能な温度センサを提供することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)