WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011136249) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136249    International Application No.:    PCT/JP2011/060216
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 27.04.2011
IPC:
H01L 31/072 (2012.01)
Applicants: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (For All Designated States Except US).
OOMAE, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ABE, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUDOME, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OOKUMA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIRASAWA, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIMURA, Takehiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOYOTA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SANO, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUROSU, Keita [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OOMAE, Satoshi; (JP).
ABE, Shinichi; (JP).
FUKUDOME, Masato; (JP).
OOKUMA, Takeshi; (JP).
SHIRASAWA, Katsuhiko; (JP).
NISHIMURA, Takehiro; (JP).
TOYOTA, Daisuke; (JP).
SANO, Hirotaka; (JP).
KUROSU, Keita; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2010-102517 27.04.2010 JP
2010-120084 26.05.2010 JP
2010-242990 29.10.2010 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換装置ならびに光電変換素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)In some cases wherein a window layer or the like is additionally arranged on a buffer layer, the buffer layer and a light absorption layer are likely to be damaged during the formation of the window layer due to inferior moisture resistance and plasma resistance. As a result, conventional photoelectric conversion elements sometimes fail to achieve sufficient conversion efficiency in terms of reliability. Disclosed is a photoelectric conversion element which comprises: a light absorption layer that is arranged on a lower electrode layer and contains a group I-B element, a group III-B element and a group VI-B element; a first semiconductor layer that is arranged on the light absorption layer and contains a group III-B element and a group VI-B element; and a second semiconductor layer that is arranged on the first semiconductor layer and contains an oxide of a group II-B element. The light absorption layer has a doped layer region on the first semiconductor layer side, and the doped layer region contains the group II-B element.
(FR)Dans certains cas d'agencement supplémentaire d'une couche à fenêtre ou équivalent sur une couche tampon, la couche tampon et une couche d'absorption de lumière peuvent être endommagées lors de la formation de la couche à fenêtre du fait d'une résistance à l'humidité et d'une résistance au plasma inférieures. Il en résulte parfois que des éléments de conversion photoélectrique classiques ne peuvent pas avoir un rendement de conversion suffisant en termes de fiabilité. La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique, comprenant : une couche d'absorption de lumière, agencée sur une couche d'électrode inférieure, et contenant un élément du groupe I-B, un élément du groupe III-B, et un élément du groupe VI-B; une première couche semi-conductrice, agencée sur la couche d'absorption de lumière, et contenant un élément du groupe III-B et un élément du groupe VI-B; et une seconde couche semi-conductrice, agencée sur la première couche semi-conductrice, et contenant un oxyde d'un élément du groupe II-B. La couche d'absorption de lumière comporte une région de couche dopée sur le côté de la première couche semi-conductrice, la région de couche dopée contenant un élément du groupe II-B.
(JA)【課題】 バッファ層上にさらに窓層などを積層する場合、耐湿性、耐プラズマ性が劣ってしまうため、窓層を形成した時にバッファ層および光吸収層に損傷が入り易くなって、信頼性の点から変換効率を満足しなくなることがあった。 【解決手段】 下部電極層上に設けられた、I-B族元素、III-B族元素およびVI-B族元素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた、III-B族元素およびVI-B族元素を含む第1半導体層と、該第1半導体層上に設けられた、II-B族元素の酸化物を含む第2半導体層とを有し、前記光吸収層は、II-B族元素を含むドープ層領域を前記第1半導体層側に有する光電変換素子である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)