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1. (WO2011136177) THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND BASE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136177    International Application No.:    PCT/JP2011/060064
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 25.04.2011
IPC:
H01L 31/042 (2006.01)
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
ORITA, Tae [--/JP]; (JP) (For US Only).
MOTOYA, Tsukasa [--/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUURA, Tsutomu [--/JP]; (JP) (For US Only).
YAMARIN, Hiroya [--/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ORITA, Tae; (JP).
MOTOYA, Tsukasa; (JP).
MATSUURA, Tsutomu; (JP).
YAMARIN, Hiroya; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2010-101317 26.04.2010 JP
Title (EN) THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND BASE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET BASE COMPRENANT UN FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 薄膜太陽電池およびその製造方法、透明導電膜付き基体およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a thin film solar cell which comprises, on a substrate (1), a multilayer film (2), a first electrode layer (3) that is formed on the multilayer film (2) and composed of a light-transmitting conductive film that is mainly composed of zinc oxide, photoelectric conversion layers (4, 6) that perform photoelectric conversion, and a second electrode layer (8) in this order. The multilayer film (2) is obtained by laminating one or more pairs of a hafnium oxide layer (2a) and a silicon oxide layer (2b) laminated from the substrate (1) side. The pair right below the first electrode layer (3) is composed of a hafnium oxide layer (2a) having a film thickness of 20-40 nm and a silicon oxide layer (2b) having a film thickness of 2-10 nm. The first electrode layer (3) has a recessed and projected pattern on the photoelectric conversion layer (4)-side surface.
(FR)La présente invention concerne une cellule solaire à film mince, comprenant, sur un substrat (1), un film multicouche (2), une première couche d'électrode (3) qui est formée sur le film multicouche (2) et qui est composée d'un film conducteur transmetteur de lumière composé principalement d'oxyde de zinc, des couches de conversion photoélectrique (4, 6) qui réalisent une conversion photoélectrique, et une seconde couche d'électrode (8), dans cet ordre. Le film multicouche (2) est obtenu par stratification d'une ou de plusieurs paires d'une couche d'oxyde d'hafnium (2a) et d'une couche d'oxyde de silicium (2b) stratifiées depuis le côté du substrat (1). La paire juste en dessous de la première couche d'électrode (3) est composée d'une couche d'oxyde d'hafnium (2a) ayant une épaisseur de film allant de 20 à 40 nm, et d'une couche d'oxyde de silicium (2b) ayant une épaisseur de film allant de 2 à 10 nm. La première couche d'électrode (3) comporte un motif en creux et en saillie sur la surface du côté de la couche de conversion photoélectrique (4).
(JA) 基板1上に多層膜2と、前記多層膜2上に形成された酸化亜鉛を主成分とする透光性導電膜からなる第1の電極層3と、光電変換を行う光電変換層4、6と、第2の電極層8とをこの順で有し、前記多層膜2は、前記基板1側から酸化ハフニウム層2aと酸化シリコン層2bとが積層された対が1対以上積層されてなり、前記第1の電極層3の直下の前記対は、膜厚が20nm~40nmの酸化ハフニウム層2aと膜厚が2nm~10nmの酸化シリコン層2bとが積層されてなり、前記第1の電極層3は、前記光電変換層4側の面に凹凸形状を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)