WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011136169) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/136169    International Application No.:    PCT/JP2011/060047
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 25.04.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (For All Designated States Except US).
YATA Shigeo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YATA Shigeo; (JP)
Agent: KADOYA Hiroshi; c/o SANYO Electric Co., Ltd., 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP)
Priority Data:
2010-103482 28.04.2010 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion device with improved photoelectric conversion efficiency. In the disclosed photoelectric conversion device (100), an amorphous silicon photoelectric conversion unit (102) with an amorphous i-type layer and a microcrystalline silicon photoelectric conversion unit (104) with a microcrystalline i-type layer are laminated, and an intermediate layer (14), which is disposed between the amorphous silicon photoelectric conversion unit (102) and the microcrystalline silicon photoelectric conversion unit (104), has a lower refractive index than the layers in contact with the front or back surfaces thereof, wherein the higher the crystallization rate of the microcrystalline i-type layer in the panel surface, the thicker the film of the intermediate layer (14) is formed.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de conversion photoélectrique avec un rendement de conversion photoélectrique amélioré. Dans le dispositif de conversion photoélectrique divulgué (100), une unité de conversion photoélectrique au silicium amorphe (102) avec une couche amorphe de type i et une unité de conversion photoélectrique au silicium microcristallin (104) avec une couche microcristalline de type i sont lamellées, et une couche intermédiaire (14), qui est disposée entre l'unité de conversion photoélectrique au silicium amorphe (102) et l'unité de conversion photoélectrique au silicium microcristallin (104), a un indice de réfraction plus bas que les couches en contact avec les surfaces avant ou arrière de celle-ci, et plus le taux de cristallisation de la couche microcristalline de type i dans la surface du panneau est élevé, plus le film de la couche intermédiaire (14) est formé épais.
(JA)【課題】光電変換装置における光電変換効率を向上させる。 【解決手段】アモルファスi型層を含むアモルファスシリコン光電変換ユニット102と微結晶i型層を含む微結晶シリコン光電変換ユニット104とを積層し、アモルファスシリコン光電変換ユニット102と微結晶シリコン光電変換ユニット104との間に表面及び裏面において接触する層より低い屈折率を有する中間層14を設け、パネル面内において微結晶i型層が高い結晶化率であるほど中間層14の膜厚を厚く形成した光電変換装置100とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)