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1. (WO2011135939) METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR AND LASER ANNEAL APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/135939    International Application No.:    PCT/JP2011/056202
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 16.03.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS,LTD. [JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (For All Designated States Except US).
CHUNG Sughwan [KR/JP]; (JP) (For US Only).
SHIDA Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MACHIDA Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: CHUNG Sughwan; (JP).
SHIDA Junichi; (JP).
MACHIDA Masashi; (JP)
Agent: YOKOI Koki; 2nd Floor, Mita 3chome BLDG., 4-11, Mita 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1080073 (JP)
Priority Data:
2010-104642 29.04.2010 JP
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR AND LASER ANNEAL APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR CRISTALLIN ET APPAREIL DE RECUIT LASER
(JA) 結晶質半導体の製造方法およびレーザアニール装置
Abstract: front page image
(EN)When crystallizing a silicon thin film by irradiation with a pulse laser, a uniform crystallization is achieved. A manufacturing apparatus is provided with a laser oscillator for outputting a pulse laser, an optical system for guiding the pulse laser to a non-crystalline semiconductor, and a moving apparatus for causing the non-crystalline semiconductor to a relative movement to scan and irradiate the non-crystalline semiconductor with the pulse laser. In the laser oscillator, the output pulse laser has a plurality of peak groups in one pulse in a temporal intensity change, and out of the peak groups, a first peak group having the maximum height and a second peak group which succeedingly appears satisfy a relationship of (second peak group)/(first peak group) ≤ 0.35 in a peak intensity value. A crystalline semiconductor having uniform characteristics is obtained by irradiating the non-crystalline semiconductor with the pulse laser.
(FR)La présente invention concerne un procédé selon lequel lors de la cristallisation d'un film mince de silicium par irradiation avec un laser à impulsions, on obtient une cristallisation uniforme. L'invention concerne également un appareil de fabrication équipé d'un oscillateur laser pour l'émission d'un laser à impulsions, d'un système optique pour guider le laser à impulsions vers un semi-conducteur non cristallin, et un appareil de déplacement pour entraîner un mouvement relatif du semi-conducteur non cristallin en vue du balayage et de l'irradiation du semi-conducteur non cristallin avec le laser à impulsions. Dans l'oscillateur laser, le laser à impulsions émis en sortie présente une pluralité de groupes de valeur crête dans une impulsion dans un changement d'intensité temporelle, et parmi les groupes de valeur crête un premier groupe de valeur crête ayant la hauteur maximale et un second groupe de valeur crête qui apparaît successivement satisfait une relation (second groupe de valeur crête)/(premier groupe de valeur crête) ≤ 0,35 en valeur d'intensité crête. Un semi-conducteur cristallin ayant des caractéristiques uniformes est obtenu par l'irradiation du semi-conducteur non cristallin avec le laser à impulsions.
(JA) パルスレーザの照射によってシリコン薄膜を結晶化させる際に、均一な結晶化を達成する。パルスレーザを出力するレーザ発振器と、前記パルスレーザを非晶質半導体に導く光学系と、前記パルスレーザを前記非晶質半導体に対し走査して照射するべく前記非晶質半導体を相対的に移動させる移動装置とを備え、前記レーザ発振器は、出力されるパルスレーザが時間的強度変化において1パルスに複数のピーク群を有し、該ピーク群のうち、最大高さを有する第1のピーク群と、その後に現れる第2のピーク群とが、ピーク強度値で(第2のピーク群)/(第1のピーク群)≦0.35の関係を満たす製造装置とし、前記パルスレーザを非晶質半導体に照射して均一な特性を有する結晶質半導体を得る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)