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1. (WO2011135667) PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/135667    International Application No.:    PCT/JP2010/057435
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 27.04.2010
IPC:
C23C 14/24 (2006.01), G02B 1/10 (2006.01), H01L 33/60 (2010.01)
Applicants: SHINCRON CO., LTD. [JP/JP]; 3-5, Minato Mirai 4-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208680 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUMOTO, Shigeharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TACHIBANA, Takahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MATSUMOTO, Shigeharu; (JP).
TACHIBANA, Takahiko; (JP)
Agent: AKIYAMA, Atsushi; Toranomon 37 Mori Building, 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体発光素子基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a process for producing a high-performance semiconductor light-emitting element substrate, which has a reduced production time. Specifically disclosed is a process for producing a semiconductor light-emitting element substrate, which is characterized by comprising: a substrate heating step (S3) of heating a substrate; a substrate washing step (S6) of washing the substrate (S); a dielectric material layer formation step (S7) of depositing dielectric material layers (H, L) on the substrate (S); a substrate heating termination step (S8) of terminating the heating of the substrate; a cooling step (S9) of absorbing a radiation heat by means of cooling means (11, 12, 13) to cool the substrate (S) and a substrate supporting means (3); and a reflective layer formation step (S11) of depositing a reflective layer (R) on the dielectric material layers (H, L).
(FR)Cette invention concerne un procédé de production d'un substrat d'élément électroluminescent à semi-conducteurs haute performance, qui permet de réduire le temps de fabrication. L'invention concerne plus spécifiquement un procédé de production d'un substrat d'élément électroluminescent à semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend : une étape (S3) de chauffage de substrat, consistant à chauffer un substrat ; une étape (S6) de lavage de substrat, consistant à laver le substrat (S) ; une étape (S7) de formation d'un matériau diélectrique, consistant à déposer des couches de matériau diélectrique (H, L) sur le substrat (S) ; une étape (S8) d'arrêt de chauffage de substrat consistant à terminer le chauffage du substrat ; une étape (S9) de refroidissement, consistant à absorber un rayonnement thermique par l'intermédiaire de moyens de refroidissement (11, 12, 13) afin de refroidir le substrat (S) ainsi qu'un moyen de support de substrat (3) ; et une étape (S11) de formation de couche réfléchissante, consistant à déposer une couche réfléchissante (R) sur les couches de matériau diélectrique (H, L).
(JA)【課題】製造時間を短縮すると共に、高性能な半導体発光素子基板の製造方法を提供する。 【解決手段】基板を加熱する基板加熱工程S3と、基板Sを洗浄する基板洗浄工程S6と、基板S上に、誘電体層H,Lを蒸着させる誘電体層形成工程S7と、基板の加熱を停止する基板加熱停止工程S8と、冷却手段11,12,13によって、輻射熱を吸収して基板S及び基板保持手段3を冷却する冷却工程S9と、誘電体層H,L上に反射層Rを蒸着させる反射層形成工程S11と、を備えてなることを特徴とする半導体発光素子基板の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)