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1. (WO2011135528) LED WAFER WITH LAMINATED PHOSPHOR LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/135528    International Application No.:    PCT/IB2011/051849
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 27.04.2011
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG San Jose, California 95131 (US) (For All Designated States Except US).
BASIN, Grigoriy [US/US]; (US) (For US Only).
MARTIN, Paul, S. [SG/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BASIN, Grigoriy; (US).
MARTIN, Paul, S.; (US)
Agent: BEKKERS, Joost, J., J.; High Tech Campus Building 44 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Priority Data:
12/771,809 30.04.2010 US
Title (EN) LED WAFER WITH LAMINATED PHOSPHOR LAYER
(FR) GALETTE DE DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES COMPRENANT UNE COUCHE DE LUMINOPHORE STRATIFIÉE
Abstract: front page image
(EN)An LED wafer with a growth substrate (32) is attached to a carrier substrate by (38), for example, a heat - releasable adhesive (36) so that the LED layers are sandwiched between the two substrates. The growth substrate (32) is then removed, such as by laser lift-off. The exposed surface (46) of the LED layers is then etched (44) to improve light extraction. A preformed phosphor sheet (48), matched to the LEDs, is then affixed to the exposed LED layer. The phosphor sheet (48), LED layers (30), and, optionally, the carrier substrate (38) are then diced (54) to separate the LEDs. The LED dice are released from the carrier substrate by heat or other means, and the individual LED dice are mounted on a submount wafer using a pick-and-place machine. The submount wafer is then diced to produce individual LEDs. The active layer may generate blue light, and the blue light and phosphor light may generate white light having a predefined white point.
(FR)L'invention concerne une galette de diode électroluminescente comprenant un substrat de croissance (32) fixé sur un substrat porteur (38), par exemple à l'aide d'une colle (36) se détachant sous l'effet de la chaleur, de sorte que les couches des diodes sont prises en sandwich entre les deux substrats. Le substrat de croissance (32) est ensuite éliminé, par exemple par décollement au laser. La surface exposée (46) des couches des diodes électroluminescentes est ensuite gravée (44) de façon à améliorer l'extraction de la lumière. Un film de luminophore préformé (48), correspondant aux diodes électroluminescentes, est ensuite fixé sur la couche de diodes électroluminescentes exposée. Le film de luminophore (48), les couches de diodes électroluminescentes (30) et facultativement le substrat porteur (38) sont ensuite découpés (54) afin de séparer les diodes électroluminescentes. Les puces des diodes électroluminescentes sont détachées du substrat porteur par la chaleur ou par d'autres moyens et les puces individuelles des diodes électroluminescentes sont montées sur une galette d'embases à l'aide d'une machine de bras-transfert. La galette d'embases est ensuite découpée de façon à produire les diodes électroluminescentes individuelles. La couche active peut générer de la lumière bleue et la lumière bleue et la lumière du luminophore peuvent générer de la lumière blanche ayant un point blanc prédéfini.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)