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1. (WO2011135420) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/135420    International Application No.:    PCT/IB2011/000833
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 14.04.2011
IPC:
H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C23C 8/00 (2006.01)
Applicants: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG [DE/DE]; Johannes-Schmid-Strasse 8 89143 Blaubeuren (DE) (For All Designated States Except US).
EISENMANN, Lorenz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KAMPMANN, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÖTSCHAU, Immo [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMID, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: EISENMANN, Lorenz; (DE).
KAMPMANN, Andreas; (DE).
KÖTSCHAU, Immo; (DE).
SCHMID, Dieter; (DE)
Agent: HEYERHOFF & GEIGER; Heiligenbreite 52 88662 Überlingen (DE)
Priority Data:
10 2010 018 595.7 27.04.2010 DE
Title (EN) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À LA PRODUCTION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
Abstract: front page image
(EN)Process for the production of a I-III-VI-compo.und semiconductor layer (80), in which a substrate (50) is provided (10, 12) with a coating (63) which has a metallic precursor layer (57), the coating (63) is heated and kept for the duration of a process time at temperatures of at least 350 °C (16) and the metallic precursor layer (57) is thereby converted (16), in the presence of a chalcogen (58; 72), into the compound semiconductor layer (80) while areal contact is provided (14; 24) between a preponderant proportion (15a) of a free surface (15a, 15b; 25) of the coating (63) and a cover (60; 70) during at least part of the process time.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à la production d'une couche de semi-conducteur composite I-III-VI (80), dans lequel un substrat (50) est muni (10, 12) d'un revêtement (63) qui présente une couche de précurseur métallique (57), le revêtement (63) étant chauffé et conservé pendant la durée d'un temps de traitement à des températures d'au moins 350 °C (16) et la couche de précurseur métallique (57) est ainsi convertie (16), en présence d'un chalcogène (58; 72), en couche de semi-conducteur composite (80) lorsque s'effectue un contact surfacique (14; 24) entre une proportion prépondérante (15a) d'une surface libre (15a, 15b; 25) du revêtement (63) et un couvercle (60; 70) pendant au moins une partie du temps de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)