WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011135249) METHOD FOR PREPARING AN N+PP+ OR P+NN+ STRUCTURE ON SILICON WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/135249    International Application No.:    PCT/FR2011/050948
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 26.04.2011
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/028 (2006.01)
Applicants: EDF ENR PWT [FR/FR]; Coeur Défense Tour B 100 Esplanade du Général de Gaulle Paris La Défense 92932 (FR) (For All Designated States Except US).
SYNERGIES POUR EQUIPEMENTS MICRO-ELECTRONIQUE COMMUNICATION OPTIQUE SA [FR/FR]; Parc Euromedecine 625 Rue de la Croix Verte F-34090 Montpellier (FR) (For All Designated States Except US).
INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON [FR/FR]; 20 avenue Albert Einstein F-69621 Villeurbanne Cedex (69266) (FR) (For All Designated States Except US).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (For All Designated States Except US).
BAZER-BACHI, Barbara [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LEMITI, Mustapha [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LE QUANG, Nam [FR/FR]; (FR) (For US Only).
PELLEGRIN, Yvon [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: BAZER-BACHI, Barbara; (FR).
LEMITI, Mustapha; (FR).
LE QUANG, Nam; (FR).
PELLEGRIN, Yvon; (FR)
Agent: Cabinet Germain & Maureau; B.P. 6153 F-69466 Lyon Cedex 06 (FR)
Priority Data:
10/53154 26.04.2010 FR
Title (EN) METHOD FOR PREPARING AN N+PP+ OR P+NN+ STRUCTURE ON SILICON WAFERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE N+PP+ OU DE TYPE P+NN+ SUR PLAQUES DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a method for preparing, on a silicon wafer, an n+pp+ or p+nn+ structure which includes the following consecutive steps: a) on a p or n silicon wafer (1), which includes a front surface (8) and a rear surface (9), a layer of boron-doped silicon oxide (BSG) (2) is formed on the rear surface (9) by PECVD, followed by a SiOx diffusion barrier (3); b) a source of phosphorus is diffused such that the phosphorus and the boron co-diffuse and in order also to form: on the front surface (8) of the wafer obtained at the end of step a), a layer of phosphorus-doped silicon oxide (PSG) (4) and an n+ doped area (5); and on the rear surface of the wafer obtained at the end of step a), a boron-rich area (BRL) (6), as well as a p+ doped area (7); c) the layers of BSG (2) and PSG (4) oxides and SiOx (3) are removed, the BRL (6) is oxidised and the layer resulting from said oxidation is removed. The invention also relates to a silicon wafer having an n+pp+ or p+nn+ structure, which can be obtained by said preparation method, as well as to a photovoltaic panel manufactured from such a silicon wafer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation sur une plaque de silicium de structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ qui comprend les étapes successives suivantes : a) Sur une plaque de silicium (1 ) de type p ou de type n qui comprend une face avant (8) et une face arrière (9), on forme par PECVD sur la face arrière (9) une couche d'oxyde de silicium dopée au bore (BSG) (2), puis une couche barrière à la diffusion de SiOx (3). b) On d iffuse u n e sou rce de phosphore d e ma n ière à ce q ue l e phosphore et le bore co-diffusent et à former en outre : sur la face avant (8) de la plaque obtenue à l'issue de l'étape a) : u ne couche d 'oxyde de silicium dopée au phosphore (PSG) (4), une zone dopée n+ (5), et sur la face arrière de la plaque obtenue à l'issue de l'étape a) : une zone riche en bore (BRL) (6), ainsi qu'une zone dopée p+ (7). c) On retire les couches d'oxydes BSG (2), PSG (4) et de SiOx (3), on oxyde la BRL (6) et on retire la couche résultante de cette oxydation. L'invention concerne aussi une plaque de silicium de structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ susceptible d'être obtenue par ce procédé de préparation, ainsi qu'une cellule photovoltaïque fabriquée à partir d'une telle plaque de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)