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1. (WO2011134959) REMOTE N-DOPING OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/134959    International Application No.:    PCT/EP2011/056584
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 26.04.2011
IPC:
H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF PRINCETON [US/US]; Princeton University Princeton, New Jersey 08544 (US) (For All Designated States Except US).
GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; 505 Tenth Street Atlanta, Georgia 30332-0415 (US) (For All Designated States Except US).
ZHAO, Wei [CN/US]; (US) (For US Only).
QI, Yabing [CN/US]; (US) (For US Only).
KAHN, Antoine [FR/US]; (US) (For US Only).
MARDER, Seth [US/US]; (US) (For US Only).
BARLOW, Stephen [GB/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHAO, Wei; (US).
QI, Yabing; (US).
KAHN, Antoine; (US).
MARDER, Seth; (US).
BARLOW, Stephen; (US)
Agent: VANDE GUCHT, Anne; Rue de Ransbeek, 310 B-1120 Bruxelles (BE)
Priority Data:
61/328,287 27.04.2010 US
61/349,446 28.05.2010 US
Title (EN) REMOTE N-DOPING OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS
(FR) DOPAGE N À DISTANCE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES ORGANIQUES
Abstract: front page image
(EN)The inventions disclosed, described, and/or claimed herein relate to organic electronic devices comprising "remotely" doped materials comprising a combination of at least three layers. Such devices can include remotely n-doped structures comprising a combination of at least three layers: a) a channel layer comprising at least one organic semiconductor channel material; b) a dopant layer which comprises at least one organic electron transport material doped with an n-dopant material c) a spacer layer disposed between and in electrical contact with the channel layer and the dopant layer, comprising an organic semiconducting spacer material. The devices of the invention include "remotely doped" field effect transistors comprising the doped structures described above.
(FR)Les inventions présentées, décrites et/ou revendiquées dans les présentes ont trait à des dispositifs électroniques organiques qui comprennent des matériaux dopés « à distance » comprenant une combinaison d'au moins trois couches. Lesdits dispositifs peuvent inclure des structures dopées N à distance comprenant une combinaison d'au moins trois couches : a. une couche de canal comprenant au moins un matériau de canal semi-conducteur organique; b. une couche de dopant qui comprend au moins un matériau de transport d'électrons organique dopé avec un matériau dopant N; c. une couche d'entretoise disposée entre la couche de canal et la couche de dopant et en contact électrique avec ces dernières, comprenant un matériau d'entretoise semi-conducteur organique. Les dispositifs selon la présente invention incluent des transistors à effet de champ « dopés à distance » comprenant les structures dopées décrites ci-dessus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)