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1. (WO2011134857) METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS USING NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/134857    International Application No.:    PCT/EP2011/056303
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 20.04.2011
IPC:
H01L 21/335 (2006.01), G03F 7/00 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), B82Y 10/00 (2011.01)
Applicants: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN [DE/DE]; Straße des 17. Juni 135 10623 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
HONGBO, Lan [CN/CN]; (CN) (For US Only).
POHL, Udo W. [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BIMBERG, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HONGBO, Lan; (CN).
POHL, Udo W.; (DE).
BIMBERG, Dieter; (DE)
Agent: FISCHER, Uwe; Moritzstraße 22 13597 Berlin (DE)
Priority Data:
12/662,661 27.04.2010 US
Title (EN) METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS USING NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS PAR LITHOGRAPHIE PAR NANO-IMPRESSION
Abstract: front page image
(EN)Method of fabricating semiconductor quantum dots The invention relates to a method of fabricating at least one semiconductor quantum dot at a predefined position, comprising the steps of: patterning a semiconductor base material using nanoimprint lithography and an etching step, to form at least one nano-hole at the predefined position in the semiconductor base material; and growing the at least one semiconductor quantum dot in or on top of the at least one nano-hole by metalorganic chemical vapor deposition.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de points quantiques semi-conducteurs. L'invention concerne en particulier un procédé de fabrication d'au moins un point quantique semi-conducteur à un emplacement prédéfini, ce procédé consistant : à former un motif sur un matériau de base semi-conducteur par lithographie par nano-impression et par une étape de gravure, pour obtenir au moins un nano-trou à l'emplacement prédéfini dans le matériau de base semi-conducteur; et à faire croître ledit point quantique semi-conducteur au moins dans ou sur ledit nano-trou au moins par dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)