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1. (WO2011134732) WHEATSTONE BRIDGE HAVING XMR SPIN-VALVE SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/134732    International Application No.:    PCT/EP2011/054933
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 30.03.2011
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), G01R 33/00 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
RÜHRIG, Manfred [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEISS, Roland [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: RÜHRIG, Manfred; (DE).
WEISS, Roland; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2010 018 874.3 30.04.2010 DE
Title (DE) WHEATSTONEBRÜCKE MIT XMR-SPINVALVE-SYSTEMEN
(EN) WHEATSTONE BRIDGE HAVING XMR SPIN-VALVE SYSTEMS
(FR) PONT DE WHEATSTONE À SYSTÈMES DE VALVE DE SPIN XMR
Abstract: front page image
(DE)Eine Wheatstonebrücke weist in Brückenschaltung verschaltete Brückenelemente (1, 2, 3, 4) auf, die jeweils aus XMR-/GMR- Spinvalve-Systemen bestehen. Zwei ausgewählte, diagonal zueinander angeordnete Brückenelemente (2, 4) werden mit Ionen beschossen, wodurch der XMR-/GMR-Effekt der beiden ausgewählten Brückenelemente reduziert oder zerstört wird. Vorteilhaft wird in diesem System eine monolithisch integrierbare Brückenstruktur bei geringem Konditionierungsaufwand erzielt.
(EN)The invention relates to a Wheatstone bridge comprising bridge elements (1, 2, 3, 4) connected in a bridge circuit, each consisting of XMR/GMR spin-valve systems. Two selected bridge elements (2, 4) arranged diagonally to each other are bombarded with ions, whereby the XMR/GMR effect of the two selected bridge elements is reduced or destroyed. A monolithically integratable bridge structure is advantageously achieved in said system with low conditioning expenditure.
(FR)L'invention concerne un pont de Wheastone présentant des éléments de pont (1, 2, 3, 4) montés en pont, qui sont constitués respectivement de systèmes de valve de spin XMR/GMR. Deux éléments de pont (2, 4) sélectionnés, montés en diagonale, sont bombardés par des ions, de sorte que l'effet XMR/GMR des deux éléments de pont sélectionnés est réduit ou annulé. Avantageusement, on obtient dans ce système, une structure en pont monolithiquement intégrable, pour une faible dépense en conditionnement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)