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1. (WO2011134691) METHOD FOR PRODUCING A METAL-WRAP-THROUGH-SOLAR CELL AND A METAL-WRAP-THROUGH-SOLAR CELL PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/134691    International Application No.:    PCT/EP2011/052501
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 21.02.2011
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
KROKOSZINSKI, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KROKOSZINSKI, Hans-Joachim; (DE)
Common
Representative:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2010 028 187.5 26.04.2010 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METAL-WRAP-THROUGH-SOLARZELLE SOWIE EINE NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE METAL-WRAP-THROUGH-SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A METAL-WRAP-THROUGH-SOLAR CELL AND A METAL-WRAP-THROUGH-SOLAR CELL PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE MWT ("METAL WRAP THROUGH") ET CELLULE SOLAIRE MWT FABRIQUÉE PAR CE PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Metal-Wrap-Through-Solarzelle aus einem p-dotierten oder n-dotierten Silizium-Substrat (1), das eine im Gebrauchszustand als Lichteinfallsseite dienende erste Hauptoberfläche (2) und eine als Rückseite dienende zweite Hauptoberfläche (3) aufweist, aufgezeigt, folgende Schritte umfassend : Aufbringen einer Dünnschicht (5), die im Wesentlichen Aluminium umfasst, auf die zweite Hauptoberfläche (3), Entfernen der Aluminium-Dünnschicht (5) von Teilen der zweiten Hauptoberfläche (3) zur Bildung von Lochbereichen (9) mit einem ersten Durchmesser (d1), in denen das Silizium-Substrat (1) freiliegt, Aufbringen und Trocknen einer dielektrischen, glasbildenden Paste (11) auf die Aluminium-Dünnschicht (5) zum Abdecken der Dünnschicht (5) und von Teilen des Silizium-Substrats (1), wodurch die Lochbereiche (9) auf einen zweiten Durchmesser (d2) verkleinert werden, Bilden von Durchkontaktierungslöchern (10) durch das Silizium- Substrat (1) in den Lochbereichen (9), insbesondere mittels eines Lasers (13), Erhitzen und/oder Sintern der Paste (11) auf der zweiten Hauptoberfläche (3), insbesondere bei Temperaturen über ca. 577 °C, zur Erzeugung einer Aluminium-Dotierschicht (6) in der zweiten Hauptoberfläche (3), und Entfernen der bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Glasschicht (12) und einer bei dem Erhitzen und/oder Sintern entstandenen Aluminium-Silizium- Eutetikumsschicht von der zweiten Hauptoberfläche (3), wodurch die Aluminium-Dotierschicht (6) freigelegt wird.
(EN)The invention relates to a method for producing a metal-wrap-through-solar cell consisting of a p-doped or n-doped silicon substrate (1), which has a first main surface (2) that serves as a light incidence side when used and a second main surface (3) that serves as the back. Said method consists of the following steps: a thin layer (5) which is essentially made of aluminium is applied to the second main surface (3), the aluminium thin layer (5) is removed from parts of the second main surface (3) for forming hole areas (9) having a first diameter (d1) in which the silicon substrate (1) is released, a dielectric, gas-forming paste (11) is applied to and dried on the aluminium thin layer (5) for covering the thin layer (5) and parts of the silicon substrate (1), resulting in the hole areas (9) being reduced in size to a second diameter (d2), forming interconnecting holes (10) through the silicon substrate (1) in the hole areas (9), in particular by means of a laser (13), the paste (11) on the second main surface (3) is heated and/or sintered (11), in particular to temperatures over approximately 577 °C, for producing an aluminium doping layer (6) in the second main surface (3), and the glass layer (12) and an aluminium silicon eutectic layer formed from heating and/or sintering is removed from the second main surface (3) thus releasing the aluminium doping layer (6).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire MWT (pour "Metal Wrap Through") composée d'un substrat de silicium (1) dopé p ou dopé n présentant une première surface principale (2) servant de côté d'incidence de la lumière, à l'état d'utilisation, et une seconde surface principale (3) servant de côté arrière, ce procédé comprenant les étapes suivantes : application d'une couche mince (5) comprenant essentiellement de l'aluminium sur la seconde surface principale (3), retrait de la couche mince d'aluminium (5) de certaines parties de la seconde surface principale (3) pour former des zones évidées (9) présentant un premier diamètre (d1) dans lesquelles le substrat de silicium (1) est dégagé, application et séchage d'une pâte (11) diélectrique vitrifiable sur la couche mince d'aluminium (5) pour recouvrir cette dernière et des parties du substrat de silicium (1), le diamètre des zones évidées (9) étant ainsi réduit à un deuxième diamètre (d2), formation de trous d'interconnexion (10) à travers le substrat de silicium (1) dans les zones évidées (9), en particulier au moyen d'un laser (13), chauffage et/ou frittage de la pâte (11) sur la seconde surface principale (3), en particulier à des températures supérieures à environ 577 °C pour produire une couche de dopage d'aluminium (6) dans la seconde surface principale (3), et retrait de la couche de verre (12) et d'une couche eutectique d'aluminium et de silicium formées lors du chauffage et/ou du frittage sur la seconde surface principale (3), la couche de dopage d'aluminium (6) étant ainsi dégagée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)