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1. (WO2011134390) MANUFACTURING METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE WITH FRINGE FIELD SWITCHING TYPE THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/134390    International Application No.:    PCT/CN2011/073336
Publication Date: 03.11.2011 International Filing Date: 26.04.2011
IPC:
H01L 21/84 (2006.01)
Applicants: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 8 Xihuanzhonglu BDA Beijing 100176 (CN) (For All Designated States Except US).
SONG, Youngsuk [KR/CN]; (CN) (For US Only).
CHOI, Seungjin [KR/CN]; (CN) (For US Only).
YOO, Seongyeol [KR/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: SONG, Youngsuk; (CN).
CHOI, Seungjin; (CN).
YOO, Seongyeol; (CN)
Agent: LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building No. 8 Beichen Dong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Priority Data:
201010159005.0 26.04.2010 CN
Title (EN) MANUFACTURING METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE WITH FRINGE FIELD SWITCHING TYPE THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE RÉSEAU AVEC UN ÉCRAN À CRISTAUX LIQUIDES À TRANSISTORS À COUCHES MINCES DE TYPE COMMUTATION DE CHAMP DE FRANGE
(ZH) FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法
Abstract: front page image
(EN)A manufacturing method for an array substrate with a fringe field switching (FFS) type thin film transistor (TFT) liquid crystal display (LCD) includes the following steps. A pattern of a gate line (1), a gate electrode, a common electrode (6) and a common electrode line (5) is formed by patterning a first transparent conductive film and a first metal film formed successively on a transparent substrate. Contact holes of the gate line in the pad area and a semiconductor pattern are formed through a patterning process after a gate insulator film, and a semiconductor film and a doped semiconductor film are formed successively. A second metal film is deposited and patterned. A second transparent conductive film is deposited and a lift-off process is performed. And then, a pattern of a source electrode, a drain electrode, a TFT channel and a pixel electrode (4) is formed by etching the exposed second metal film and the doped semiconductor film.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de réseau avec un écran à cristaux liquides (LCD) à transistors à couches minces (TFT) de type commutation de champ de frange (FFS). Ledit procédé consiste à former un motif d'une ligne de grille (1), d'une électrode de grille, d'une électrode commune (6) et d'une ligne d'électrode commune (5) en gravant un premier film conducteur transparent et un premier film métallique successivement formés sur un substrat transparent ; former des trous de contact de la ligne de grille dans la plage d'accueil et un motif semi-conducteur par un procédé de gravure après avoir successivement formé un film d'isolant de grille, un film semi-conducteur et un film semi-conducteur dopé ; déposer et graver un deuxième film métallique ; déposer un deuxième film conducteur transparent et réaliser un procédé de séparation de connexion ; et former un motif d'une électrode de source, d'une électrode de drain, d'un canal TFT et d'une électrode de pixel (4) en gravant le deuxième film métallique exposé et le film semi-conducteur dopé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)