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1. WO2011133138 - NANOSCALE SWITCHING DEVICES WITH PARTIALLY OXIDIZED ELECTRODES

Publication Number WO/2011/133138
Publication Date 27.10.2011
International Application No. PCT/US2010/031639
International Filing Date 19.04.2010
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
328
Multistep processes for the manufacture of devices of the bipolar type, e.g. diodes, transistors, thyristors
33
the devices comprising three or more electrodes
332
Thyristors
H01L 21/332 (2006.01)
CPC
B82Y 10/00
H01L 27/2463
H01L 45/08
H01L 45/1253
H01L 45/146
Y10S 438/90
Applicants
  • HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070, US (AllExceptUS)
  • YANG, Jianhua [CN/US]; US (UsOnly)
  • GILBERTO, Ribeiro [BR/US]; US (UsOnly)
  • WILLIAMS, R. Stanley [US/US]; US (UsOnly)
Inventors
  • YANG, Jianhua; US
  • GILBERTO, Ribeiro; US
  • WILLIAMS, R. Stanley; US
Agents
  • COLLINS, David, W.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration 3404 E. Harmony Road Mail Stop 35 Fort Collins, Colorado 80528, US
Priority Data
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) NANOSCALE SWITCHING DEVICES WITH PARTIALLY OXIDIZED ELECTRODES
(FR) DISPOSITIFS DE COMMUTATION NANOMÉTRIQUES AUX ÉLECTRODES PARTIELLEMENT OXYDÉES
Abstract
(EN)
A nanoscale switching device (200) is provided. The device comprises: a first electrode (110) of a nanoscale width; a second electrode (120) of a nanos-cale width; an active region (122) disposed between the first and second elec-trodes, the active region having a non-conducting portion (122a) comprising an electronically semiconducting or nominally insulating and a weak ionic conductor switching material capable of carrying a species of dopants and transporting the dopants under an electric field and a source portion (122b) that acts as a source or sink for the dopants; and an oxide layer (115, 125) either formed on the first electrode, between the first electrode and the active region or formed on the second electrode, between the second electrode and the active region. A crossbar array comprising a plurality of the nanoscale switching devices is also provided. A process for making at least one nanoscale switching device is further provided.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de commutation nanométrique (200). Le dispositif comprend : une première électrode (110) de largeur nanométrique; une deuxième électrode (120) de largeur nanométrique; une région active (122) disposée entre la première et la deuxième électrode, la région active comportant une partie non conductrice (122a) comprenant un matériau de commutation électroniquement semi-conducteur ou nominalement isolant et faiblement conducteur ionique capable de porter une espèce de dopants et de transporter les dopants sous un champ électrique, et une partie de source (122b) qui agit comme une source ou un collecteur pour les dopants; et une couche d'oxyde (115, 125) formée soit sur la première électrode, entre la première électrode et la région active, soit sur la deuxième électrode, entre la deuxième électrode et la région active. L'invention concerne également un réseau de barres transversales comprenant une pluralité de dispositifs de commutation nanométriques, et un procédé de fabrication d'au moins un dispositif de commutation nanométrique.
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