(EN) The invention relates to a method for preparing an A-B-C2 or A2-(Dx, E1_x)-C4 absorber thin film for photovoltaic cells where 0 ≤ x ≤ 1, A is an element or mixture of elements selected within Group 11, B is an element or mixture of elements selected within Group 13, C is an element or mixture of elements selected within Group 16, D is an element or mixture of elements selected within Group 12, and E is an element or mixture of elements selected within Group 14. Said method includes: a step (S1) of electrochemically depositing oxide from elements selected from among Groups 11, 12, 13, and 14, a step (S2) of annealing in a reducing atmosphere, and a step (S3) of supplying an element from Group 16.
(FR) Procédé de préparation d'une couche mince d'absorbeur pour cellules photovoltaïques de type A-B-C2 ou A2- (Dx, E1_x) - C4 avec 0≤ x ≤1, A est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 11, B est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 13, C est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 16, D est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 12 et E est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 14, ledit procédé comprenant : - une étape de dépôt électrochimique (S1) d'oxyde d'éléments choisis parmi les groupes 11, 12, 13, et 14, - une étape de recuit sous atmosphère réductrice (S2), et - une étape d'apport (S3) d'un élément du groupe 16.