(DE) Die vorliegende Erfindung sieht eine Lösung des Problems der nichtflüchtigen elektronischen Datenspeicherung durch Verwendung eines kristallinen Oxids vorzugsweise mit Perowskitstruktur vor. Durch einen mehrstufigen Prozess, der eine Modifikation von Leitfähigkeit und Oberflächenstruktur, eine Abscheidung von Elektroden sowie eine elektrische Formierung beinhaltet, wird ein Schalten zwischen verschiedenen Grenzflächenzuständen möglich. Die Daten werden dann in Form von Widerstandszuständen einzelner Speicherzellen gespeichert.
(EN) The present invention provides a solution to the problem of non-volatile electronic data storage by using a crystalline oxide preferably having a perovskite structure. A multistage process comprising modification of conductivity and surface structure, deposition of electrodes and also electroforming enables switching between different interface states. The data are then stored in the form of resistance states of individual memory cells.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire de données électronique non volatile. Elle vise à résoudre le problème de la mémorisation électronique non volatile de données, par utilisation d'un oxyde cristallin présentant de préférence une structure pérovskite. Un processus en plusieurs étapes, qui consiste en une modification de la conductivité et de la structure superficielle, en un dépôt des électrodes et en une activation électrique, permet une commutation entre différents états d'interface. Les données sont ensuite mémorisées sous la forme d'états de résistance de cellules de mémoire individuelles.
