(DE) Es wird ein Halbleiterlaser (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) und einen stegförmigen Bereich (3) aufweist. Der stegförmige Bereich weist eine entlang einer Emissionsrichtung verlaufende Längsachse (30) auf, welche bezüglich einer in Emissionsrichtung verlaufenden Mittelachse (25) des Halbleiterkörpers in Querrichtung versetzt angeordnet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers angegeben.
(EN) The invention relates to a semiconductor laser (1), which comprises a semiconductor body (2) having an active region (20) for generating radiation and a bridge-shaped region (3). According to the invention, the bridge-shaped region has a longitudinal axis (30) running along an emission direction, which is arranged offset in the transverse direction in relation to a center axis (25) running in the emission direction. The invention further relates to a method for producing a semiconductor laser.
(FR) L'invention concerne un laser à semi-conducteur (1) qui comprend un corps semi-conducteur (2) présentant une zone active (20), destinée à la production d'un rayonnement, et une zone en forme de nervure (3). Cette zone en forme de nervure présente un axe longitudinal (30) s'étendant dans une direction d'émission et placé de manière décalée dans le sens transversal par rapport à un axe médian (25) du corps semi-conducteur, qui s'étend dans la direction d'émission. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un laser à semi-conducteur.