(EN) A semiconductor device is provided, which comprises: a substrate(2), a diffusion stop layer(6) formed on the substrate, an SOI layer(10) formed on the diffusion stop layer, a MOSFET(14) formed on the SOI layer, a silicon via TSV(17) formed through the substrate, the diffusion stop layer, the SOI layer and the MOSFET layer, and an interconnection structure(16) connecting the MOSFET and the silicon via TSV. The performance of the semiconductor device is superior.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend : un substrat (2), une couche d'arrêt de diffusion (6) formée sur le substrat, une couche SOI (10) formée sur la couche d'arrêt de diffusion, un MOSFET(14) formé sur la couche SOI, un silicium via TSV (17) formé sur le substrat, la couche d'arrêt de diffusion, la couche SOI, la couche MOSFET et une structure d'interconnexion (16) connectant le MOSFET et le silicium via TSV. La performance du dispositif semi-conducteur est plus élevée.