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1. (WO2011022637) DUAL HEATING FOR PRECISE WAFER TEMPERATURE CONTROL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/022637    International Application No.:    PCT/US2010/046150
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 20.08.2010
IPC:
C23C 16/48 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
Applicants: VARIAM SEMICONDUCTIOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
YANG, Michael, X. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YANG, Michael, X.; (US)
Agent: LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
61/235,790 21.08.2009 US
12/853,394 10.08.2010 US
Title (EN) DUAL HEATING FOR PRECISE WAFER TEMPERATURE CONTROL
(FR) DOUBLE CHAUFFAGE POUR UN CONTRÔLE PRÉCIS DE LA TEMPÉRATURE D'UNE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)An improved method of heating a workpiece positioned on a susceptor is disclosed. The method using both primary heating, such as by resistive or inductive heating elements, and localized secondary heating, such as by heating lamps. The primary heating system is used to globally regulate the temperature of the susceptor. The heating lamps are used to provide localized heating to particular regions of the workpieces, based on measured temperatures. A wafer temperature mapping unit is used to measure the temperature of the top surface of the workpieces, so that an appropriate amount of heat can be applied to each localized region, in some embodiments, the susceptor rotates, thereby allowing fewer localized heating elements and temperature sensors to be employed.
(FR)L'invention concerne un procédé amélioré de chauffage d'une pièce à usiner positionnée sur un suscepteur. Le procédé utilise le chauffage primaire, comme par le biais d'éléments chauffants résistifs ou inductifs, et un chauffage secondaire localisé, comme par des lampes chauffantes. Le système de chauffage primaire est utilisé pour réguler globalement la température du suscepteur. Les lampes de chauffage sont utilisées pour fournir un chauffage localisé à des zones particulières des pièces à usiner, sur la base des températures mesurées. Une unité de cartographie de température de tranche est utilisée pour mesurer la température de la surface supérieure des pièces, de sorte qu'une quantité de chaleur appropriée puisse être appliquée à chaque zone localisée, et que, dans certains modes de réalisation, le suscepteur tourne, permettant ainsi d'utiliser moins d'éléments chauffants localisés et de capteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)