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1. (WO2011022635) METHODS AND SYSTEM FOR PATTERNING A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/022635    International Application No.:    PCT/US2010/046146
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 20.08.2010
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/033 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
MARTIN, Patrick, M. [US/US]; (US) (For US Only).
CARLSON, Steven, D. [US/US]; (US) (For US Only).
OH, Daniel [KR/KR]; (KR) (For US Only).
PARK, Jung-Wook [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: MARTIN, Patrick, M.; (US).
CARLSON, Steven, D.; (US).
OH, Daniel; (KR).
PARK, Jung-Wook; (KR)
Agent: LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment, Associates, Inc 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
12/859,606 19.08.2010 US
61/235,383 20.08.2009 US
Title (EN) METHODS AND SYSTEM FOR PATTERNING A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉS ET SYSTÈME DE GRAVURE D'UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(EN)A method of patterning a substrate comprises providing an array of resist features defined by a first pitch and a first gap width between adjacent resist features. Particles are introduced into the array of resist features, wherein the array of resist features becomes hardened. The introduction of particles may cause a reduction in critical dimension of the resist features, Sidewalls arc provided on side portions of hardened resist features. Subsequent to the formation of the sidewalls, the hardened resist features are removed, leaving an array of isolated sidewalls disposed on the substrate. The sidewall array provides a mask for double patterning of features in the substrate layers disposed below the sidewalls, wherein an array of features formed in the substrate has a second pitch equal to half that of the first pitch.
(FR)Un procédé de gravure d'un substrat comprend la fourniture d'une série d'éléments de réserve définis par un premier écartement et une première largeur d'intervalle entre des éléments de réserve adjacents. Des particules sont introduites dans la série d'éléments de réserve, ce qui permet de faire durcir la série d'éléments de réserve. L'introduction de particules peut provoquer une réduction de la dimension critique des éléments de réserve, des arcs de paroi latérale étant fournis sur les parties latérales des éléments de réserve durcis. Suite à la formation des parois latérales, les éléments de réserve durcis sont enlevés, laissant une série de parois latérales isolées disposées sur le substrat. La série de paroi latérale fournit un masque pour une double gravure des éléments dans les couches du substrat disposées sous les parois latérales, une série d'éléments formés dans le substrat ayant un second écartement égal à la moitié du premier.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)