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1. (WO2011022612) INDUCTIVE PLASMA SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/022612    International Application No.:    PCT/US2010/046110
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 20.08.2010
IPC:
H05H 1/34 (2006.01), H05H 1/40 (2006.01)
Applicants: MATTSON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 47131 Bayside Parkway Fremont, California 94538 (US) (For All Designated States Except US).
GODYAK, Valery, A. [US/US]; (US) (For US Only).
CRAPUCHETTES, Charles [US/US]; (US) (For US Only).
NAGORNY, Vladimir [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GODYAK, Valery, A.; (US).
CRAPUCHETTES, Charles; (US).
NAGORNY, Vladimir; (US)
Agent: WORKMAN, J., Parks; Dority & Manning, P.A. P.O. Box 1449 Greenville, South Carolina 29602-1449 (US)
Priority Data:
61/236,081 21.08.2009 US
Title (EN) INDUCTIVE PLASMA SOURCE
(FR) SOURCE DE PLASMA INDUCTIVE
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatus to provide efficient and scalable RF inductive plasma processing are disclosed. In some aspects, the coupling between an inductive RF energy applicator and plasma and/or the spatial definition of power transfer from the applicator are greatly enhanced. The disclosed methods and apparatus thereby achieve high electrical efficiency, reduce parasitic capacitive coupling, and/or enhance processing uniformity. Various embodiments comprise a plasma processing apparatus having a processing chamber bounded by walls, a substrate holder disposed in the processing chamber, and an inductive RF energy applicator external to a wall of the chamber. The inductive RF energy applicator comprises one or more radiofrequency inductive coupling elements (ICEs). Each inductive coupling element has a magnetic concentrator in close proximity to a thin dielectric window on the applicator wall.
(FR)La présente invention concerne des procédés et un appareil pour fournir un traitement par plasma inductif RF efficace et graduable. Selon certains aspects, le couplage entre un applicateur d'énergie RF inductive et le plasma et/ou la définition spatiale de transfert de puissance depuis l'applicateur sont grandement améliorés. Les procédés et appareil décrits réalisent ainsi un rendement électrique élevé, réduisent le couplage capacitif parasite, et/ou améliorent l'uniformité de traitement. Divers modes de réalisation comprennent un appareil de traitement de plasma comportant une chambre de traitement bordée de parois, un porte-substrat disposé dans la chambre de traitement, et un applicateur d'énergie RF inductive externe à une paroi de la chambre. L'applicateur d'énergie RF inductive comprend un ou plusieurs éléments de couplage inductif RF (éléments ICE). Chaque élément de couplage inductif comporte un concentrateur magnétique tout proche d'une fenêtre diélectrique mince sur la paroi de l'applicateur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)